FQB65N06TM

1. 物料型号：文档中提到的物料型号为FQB65N06和FQI65N06，这两者均为60V N-Channel MOSFET。

2. 器件简介：这些N-Channel增强型功率场效应晶体管采用Fairchild专有的平面条带DMOS技术生产。具有65A、60V的规格，以及在VGS = 10V时RDS(on) = 0.016Ω的低导通电阻。此外，它们还具有低栅极电荷（典型值48 nC）和低Crss（典型值100 pF）。

3. 引脚分配：文档中提供了两种封装类型D2-PAK和I2-PAK的引脚分配图，其中D代表漏极(Drain)，G代表栅极(Gate)，S代表源极(Source)。

4. 参数特性：文档详细列出了包括最大耗散功率、热阻、击穿电压、栅极电荷、开关时间等在内的电气特性。

5. 功能详解：文档中对器件的主要特性进行了详细描述，包括快速开关、100%雪崩测试、增强的dv/dt能力，以及175°C的最大结温等级。

6. 应用信息：这些器件非常适合用于低电压应用，例如汽车、DC/DC转换器，以及便携式和电池操作产品的高效能开关电源管理。

7. 封装信息：提供了D2-PAK和I2-PAK两种封装的详细尺寸信息。