FQI2N80TU

物料型号：FQB2N80 / FQI2N80

器件简介： - 这些N-Channel增强型功率场效应晶体管使用Fairchild的专有平面条带DMOS技术生产。 - 技术特点包括最小化导通电阻、提供优越的开关性能和承受高能量脉冲。

引脚分配： - D2PAK和I2PAK封装的引脚分配在文档中有详细描述，但未直接列出。

参数特性： - 导通电阻RDS(on)在VGS=10V时为6.3Ω。 - 栅极电荷低（典型值12nC）。 - 低Crss（典型值5.5pF）。 - 快速开关。 - 100%雪崩测试。 - 提升dv/dt能力。

功能详解： - 详细列出了电气特性，包括关断特性、导通特性和动态特性。 - 提供了开关特性，如延迟时间和上升时间。 - 包括了体二极管特性和最大额定值。

应用信息： - 适用于高效率开关模式电源供应。

封装信息： - 提供了D2PAK和I2PAK封装的尺寸信息。