物料型号: FQPF2NA90
器件简介:
- 该N-Channel增强型功率场效应晶体管使用Fairchild专有的平面条带DMOS技术生产。
- 技术特点包括最小化导通电阻、提供优越的开关性能和承受高能量脉冲。
引脚分配: 未在文档中明确列出，但通常TO-220F封装有3个引脚：漏极(D)、源极(S)和栅极(G)。
参数特性:
- 漏源电压(Vpss): 900V
- 连续漏电流(-Continuous): 1.7A (25°C), 1.07A (100°C)
- 脉冲漏电流(-Pulsed): 6.8A
- 栅源电压(VGSS): ±30V
- 雪崩能量(EAS): 310mJ
- 雪崩电流(IAR): 1.7A
- 重复雪崩能量(EAR): 3.9mJ
- 峰值二极管恢复dv/dt: 4.0V/ns
- 功率耗散(PD): 39W (25°C), 0.31W/°C (超过25°C)
功能详解:
- 器件适用于高效率开关模式电源。
- 特点包括1.7A、900V、低栅极电荷(典型值15nC)、低Crss(典型值6.5pF)、快速开关、100%雪崩测试和改进的dv/dt能力。
应用信息:
- 适用于需要高效率开关模式电源的应用。
封装信息:
- 封装类型为TO-220F，文档提供了详细的封装尺寸。
