FSFR1700XS

DATA SHEET www.onsemi.cn 用桥谐振转换的率 FSFR-XS 系 说明 FSFR-XS 系列包括度成的电源开，效率半桥谐 振转换器而设计。它提构建可、强的谐振转换器所的 切，FSFR-XS 系列 简化设计，同时提生 力和性 能。FSFR-XS 系列将Power MOSFET 快恢复型极管、 栅极动电路、精确电流控制的振荡器、 率 制电路、 软启动和置护功能整合在 起。栅极动电路有 模噪声消功能， 卓越的抗噪能力确行稳定。 MOSFET的快恢复极管可提可性，止异常操情 况的发生，同时又能将反向恢复的影响至最。用电压 开(ZVS) 技术可显著开损耗并提效率。ZVS 可显 著开噪声，许用小尺寸的电磁干扰 (EMI) 滤波器。 SIP9 26x10.5 CASE 127EM SIP9 26x10.5 CASE 127EN 特 •半桥谐振转换器拓扑提 50% 占空比的变 控制 • 电压开 (ZVS) 实现效率 •有快恢复极管的 UniFETt • MOSFET 化的固定死区时 (350 ns) •工 率最可 300 kHz •利用外 LVCC 实现所有护的自动启动操 •护功能 压护 (OVP)、 流护 (OCP)、异常 流护 (AOCP)、热断 (TSD) 用 •等离子 (PDP) 液晶 (LCD) 电视 •台式计算机服务器 •器 •电源 MARKING DIAGRAM $Y&Z &3&K XXXXXXXXXX $Y = onsemi Logo &Z = Assembly Plant Code &3 = 3−Digit Date Code &K = 2−Digits Lot Run Traceability Code XXXXXXXXXX= Device Code ORDERING INFORMATION See detailed ordering and shipping information on page 2 of this data sheet. 相资源 AN−4151 − 用FSFR系列功率开的半桥 LLC谐振转换器 设计 © Semiconductor Components Industries, LLC, 2010 January, 2022 − Rev. 2 1 Publication Order Number: FSFR2100XSCN/D 订购 装 结温 RDS(ON_MAX) 散热片的最输率 (VIN = 350~400 V) ( 1, 2) 散热片的最输率 (VIN = 350~400 V) ( 1, 2) 9−SIP -40  +130°C 0.51 W 180 W 400 W FSFR1800XS 0.95 W 120 W 260 W FSFR1700XS 1.25 W 100 W 200 W 1.55 W 80 W 160 W 0.51 W 180 W 400 W 0.95 W 120 W 260 W FSFR1700XSL 1.25 W 100 W 200 W FSFR1600XSL 1.55 W 80 W 160 W  编 FSFR2100XS FSFR1600XS FSFR2100XSL FSFR1800XSL 9-SIP L- 1.   。 2. 50°C 。 用电路 Cr VIN VCC VO LV CC VDL RMIN RMAX RT RSS CSS AR FSFR−XS Series HVCC VCTR CS SG PG  1.  用电路 (LLC 谐振桥转换) www.onsemi.cn 2 框 V REF V REF LVCC V DL 7 1 9 HVCC IRT IRT 2I RT 3V S 1V R LVCC good Q V REF Internal Bias LUV+ / LUV− HUV+ / HUV− 2V Time Delay 350 ns RT 3 Level Shifter High−Side Gate Driver 10 VCTR Divider AR 2 Time Delay 350 ns V CssH / V CssL 5k S R LVCC good Q Balancing Delay Low−Side Gate Driver Shutdown TSD LV CC VOVP VAOCP Delay 50 ns 6 PG VOCP Delay 1.5 ms −1 5 SG 4 CS  2. 部框 www.onsemi.cn 3 脚 2 3 4 5 6 7 8 RT SG LVcc 1 V DL AR CS 9 PG 10 V HVcc  3. 装 脚 脚 称 说明 1 VDL  MOSFET  2 AR )*+, - ./01234567897。:)*+7; 0.2 V ， ? .@ABCDE。 3 RT F*+, GHI。JK，LMN%&F*+，,OPQ 7I。 4 CS )*+RS(T MOSFET 7(。K，U70VF*+。 5 SG F*+ AK。 6 PG F*+7WK。F*+%& MOSFET W!。 7 LVCC 8 NC 9 HVCC Y!Z7[ IC 7W7。 10 VCTR  MOSFET  !，#$%&'( 。 F*+A IC 77。 X%&。 !。K，\B%&F*+。 www.onsemi.cn 4 绝!最额" (TA = 25°C，]^_?`a。) 符 #数 最$" 最" %& 500 − V −0.3 25.0 V −0.3 25.0 V c7W7 −0.3 525.0 V VAR de6*+ 7 −0.3 LVCC V VCS 7(fS (CS) *+ 7 −5.0 1.0 V VRT RT *+ 7 −0.3 5.0 V − 50 V/ns FSFR2100XS/L − 12.0 W FSFR1800XS/L − 11.7 FSFR1700XS/L − 11.6 FSFR1600XS/L − 11.5 − +150 klE ( 4) −40 +130 mno −55 +150 °C 500 − V VDS  LVCC 7W7 HVCC  VCTR HVCC dVCTR/dt PD !W!7 (VDL-VCTR b VCTR-PG)  VCC *+ g MOSFET ij !7 !7h ( 3)  ( 4) TJ TSTG °C MOSFET 部' VDGR !Y!7 (RGS = 1 MW) VGS Y!W! (GND) 7 IDM p ID % 7( ( 5) !7( − ±30 V FSFR2100XS/L − 32 A FSFR1800XS/L − 23 FSFR1700XS/L − 20 FSFR1600XS/L − 18 TC = 25°C − 10.5 TC = 100°C − 6.5 TC = 25°C − 7.0 TC = 100°C − 4.5 TC = 25°C − 6.0 TC = 100°C − 3.9 TC = 25°C − 4.5 TC = 100°C − 2.7 FSFR2100XS/L FSFR1800XS/L FSFR1700XS/L FSFR1600XS/L A 装部' qr 5~7 stuvqr kgf·cm Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be assumed, damage may occur and reliability may be affected. ( wxy) z{7|}~!€"!no，B# $‚ƒ。z{|}% !，