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FSFR-HS 系列 — 适用于半桥谐振转换器的先进的飞
兆功率开关 (FPS™)
特性
说明
为半桥谐振转换器拓扑提供了 50% 占空比的变频控制
通过零电压开关 (ZVS) 实现高效率
内置高侧栅极驱动器 IC
具有快速恢复类型体二极管（trr=160 ns 典型值）的内部
FSFR-HS 是高度集成的电源开关，专为高效率半桥谐振
转换器而设计。它提供了构建可靠、强健的谐振转换器所
需的一切，FSFR-HS 不仅简化了设计，同时提高了生产
力和性能。FSFR-HS 将功率 MOSFET 与高侧栅极驱动电
路、精确的电流控制振荡器以及内置保护功能完美地整合
在了一起。
UniFET™
为 MOSFET 优化的固定死区时间 (350 ns)
用于软启动高达 600 kHz 的工作频率
为所有保护提供自重启操作，尽管具有外部 LVCC 偏压
具有可编程滞回的线电压 UVLO
通过线电压 UVLO 引脚实现简单的导通/关断
无需外部元件便可提供线电压 UVLO 与 FAN7930 兼容
使用
保护功能 过压保护 (OVP)、过流保护 (OCP)、异常过
高侧栅极驱动电路具有共模噪声消除功能，它为稳定操作
提供了出色的抗噪能力。使用零电压开关 (ZVS) 技术可显
著降低开关损耗并提高效率。ZVS 还可以显著降低开关噪
声，即使工作频率增加也如此。除了高工作频率外，它还
提供少量的电磁干扰 (EMI) 滤波，从而可缩小谐振腔，并
提高功率密度。
FSFR-HS 可用于谐振转换器拓扑，如串联谐振、并联谐
振以及 LLC 谐振转换器。
相关资源
流保护 (AOCP)、内部热关断 (TSD)
AN4151 —使用 FSFR 系列飞兆电源开关 (FPS™) 的半桥
LLC 谐振转换器设计
应用
等离子 (PDP) 与液晶 (LCD) 电视
台式计算机与服务器
适配器
通信电源
订购信息
器件编号
封装
FSFR1800HS
9-SIP
FSFR1800HSL
9-SIP
L-成型
FSFR1700HS
9-SIP
FSFR1700HSL
9-SIP
L-成型
工作结温 RDS(ON_MAX)
不带散热片的最大输出功率 带散热片的最大输出功率
(VIN=350~400 V)(1,2)
(VIN=350~400 V)(1,2)
-40 至
+130°C
0.95 Ω
120 W
260 W
-40 至
+130°C
1.25 Ω
100 W
200 W
注意：
1. 结温可限制最大输出功率。
2. 50°C 环境温度时开架式设计中的最大实际持续功率。
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FSFR-HS 系列 — 适用于半桥谐振转换器的先进的飞兆功率开关 (FPS™)
2013 年 2 月
VIN
RBOOT
DBOOT
VCC
RLS1
CLS
LVCC
RLS2
DL
Rmin
RT
Rmax
Rss
LS
Css
FSFR-HS
Series
HVCC
VO
CBOOT
CTR
CS
Rf
PG
SG
Cf
Cr
Rsense
图 1.
典型应用电路（LLC 谐振半桥转换器）
框图
LVCC
DL
7
1
LVCC Good
Vref
Vref
LVCC UV+ / UV-
Vref
IRT
IRT
3V
S
1V
R
Internal
Bias
9
HVCC
10
CTR
6
PG
5
SG
Q
2IRT
HVCC UV+ / UV-
2V
RT
Level
Shifter
Time
Delay
350ns
3
Disable
High-Side
Gate Driver
Divider
Balancing
Delay
Time
Delay
350ns
VRT,RESET
Low-Side
Gate Driver
Counter
S
Q
Shutdown
R
Line Good
LVCC Good
TSD
VAOCP
LVCC
VOVP
Line Good
Delay
50ns
VLINE
ILINE
VOCP
Delay
1.5µs
-1
图 2.
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4
2
CS
LS
内部框图
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2
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应用电路图
1
DL
2 3 4 5 6 7 8
LS
CS SG LVCC
RT
PG
图 3.
9
10
CTR
HVCC
封装图
引脚定义
引脚号
名称
1
DL
这是高侧 MOSFET 的漏极，通常连接至高压直流输入。
2
LS
这是输入电压欠压锁定 (UVLO) 的线路感测引脚。
3
RT
此引脚用于控制正常操作下的开关频率。触发任何保护时，内部自动/重启 (A/R) 电路开始感测
引脚上的电压，该引脚通过外部电阻自然放电。当电压减小 0.1 V 时，可通过 A/R 操作 IC。
通常，连接光电耦合器控制用于输出电压调节的开关频率和用于设置最小/最大工作频率的电
阻。
4
CS
此引脚检测流经低侧 MOSFET 的电流。通常，此引脚为负压。
5
SG
该引脚为控制部分的地。
6
PG
该引脚为电源地。该引脚连接到低侧 MOSFET 的源极。
7
LVCC
8
NC
9
HVCC
这是高侧栅极驱动电路的电源电压。
10
CTR
这是低侧 MOSFET 的漏极。典型地，变压器连接到该引脚。
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说明
该引脚为控制 IC 的供电电压。
无连接
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引脚布局
应力超过绝对最大额定值，可能会损坏器件。在超出推荐的工作条件的情况下，该器件可能无法正常工作，所以不建议
让器件在这些条件下长期工作。此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。绝对最大额定值仅是
应力规格值。
符号
参数
最小值
最大值
单位
VDS
最大漏极至源极电压 (DL-CTR 和 CTR-PG)
500
LVCC
低侧电源电压
-0.3
25.0
V
HVCC 至 CTR 高侧 VCC 引脚至低侧漏极电压
-0.3
25.0
V
V
高侧浮动电源电压
-0.3
525.0
V
VRT
定时电阻连接和自动重启引脚电压
-0.3
5.0
V
VLS
线电压感测输入电压
-0.3
LVCC
V
VCS
电流感测 (CS) 引脚输入电压
-5
1
V
fsw
建议开关频率
10
600
kHz
50
V/ns
HVCC
允许的低侧 MOSFET 漏极电压压摆率
dVCTR/dt
总功耗(4)
PD
FSFR1800HS/L
11.7
FSFR1700HS/L
11.6
最大结温(5)
TJ
+150
(5)
推荐的工作结温
-40
+130
存储温度范围
-55
+150
VDGR
漏极栅极电压 (RGS=1 M)
500
VGS
栅极源极 (GND) 电压
TSTG
W
C
C
MOSFET 部分
IDM
脉冲漏电流(6)
V
±30
FSFR1800HS/L
FSFR1700HS/L
23
20
7.0
4.5
6.0
3.9
TC=25°C
TC=100°C
TC=25°C
FSFR1700HS/L
TC=100°C
FSFR1800HS/L
ID
连续漏极电流
V
A
A
封装部分
扭矩
建议螺栓扭矩
5~7
kgf·cm
注意：
3. 这些参数尽管经过保证，也仅在 EDS（硅片测试）过程中测试。
4. 每个 MOSFET（两个 MOSFET 都导通）。
5. 所推荐的工作节温最大值受限于热保护功能。
6. 脉冲宽度受限于最大结温。
热阻测试
除非另有规定，否则 TA=25°C。
符号
参数
θJC
结壳中心热阻（两个 MOSFET 传导）
θJA
节-环境之间热阻
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数值
FSFR1800HS/L
10.7
FSFR1700HS/L
10.8
FSFR1800HS/L
FSFR1700HS/L
80
单位
ºC/W
ºC/W
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绝对最大额定值
除非另有规定，否则 TA=25°C、LVCC、HVCC =17 VDC 和 RT=26 k。
符号
参数
工作条件
最小值 典型值 最大值 单位
MOSFET 部分
BVDSS
漏极至源极击穿电压
RDS(ON)
导通电阻
trr
CISS
COSS
ID=200 μA, TA=25°C
540
FSFR1800HS/L
VGS=10 V, ID=3.0 A
0.77
0.95
FSFR1700HS/L
VGS=10 V, ID=2.0 A
1.00
1.25
FSFR1800HS/L
VGS=0 V,
IDIODE=7.0 A,
dIDIODE/dt=100 A/μs
160
FSFR1700HS/L
VGS=0 V,
IDIODE=6.0 A,
dIDIODE/dt=100 A/μs
160
体二极管反向恢复时间
输出电容(7)
V
ID=200 μA, TA=125°C
(7)
输入电容(7)
500
ns
FSFR1800HS/L
FSFR1700HS/L
VDS=25 V, VGS=0 V,
f=1.0 MHz
FSFR1800HS/L
FSFR1700HS/L
639
pF
512
pF
82.1
pF
66.5
pF
电源部分
50
μA
50
120
μA
100
200
μA
6
9
mA
100
200
μA
fOSC=50 KHz
7
11
mA
无开关
2
4
mA
偏置漏电流
HVCC=VCTR=500 V
IQHVCC
HVCC 静态电源电流
(HVCCUV+) - 0.1 V
IQLVCC
LVCC 静态电源电流
(LVCCUV+) - 0.1 V
ILK
IOHVCC
工作 HVCC 电源电流（RMS 值）
IOLVCC
工作LVCC电源电流（RMS 值）
fOSC=50 KHz
无开关
UVLO 部分
LVCCUV+
LVCC 电源欠压正向阈值 (LVCC,START)
11.2
12.5
13.8
V
LVCCUV-
LVCC 电源欠压负向阈值 (LVCC,STOP)
8.9
10.0
11.1
V
LVCCUVH LVCC 电源欠压滞回
2.5
HVCCUV+ HVCC 电源欠压正向阈值 (HVCC,START)
HVCCUV-
HVCC 电源欠压负向阈值 (HVCC,STOP)
V
8.2
9.2
10.2
V
7.8
8.7
9.6
V
HVCCUVH HVCC 电源欠压滞回
0.5
V
振荡器与反馈部分
VRT
RT 引脚上的输出电压
fOSC
输出振荡频率
DC
输出占空比
RT=26 k
1.5
2.0
2.5
V
47
50
53
kHz
48
50
52
%
接下页
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FSFR-HS 系列 — 适用于半桥谐振转换器的先进的飞兆功率开关 (FPS™)
电气特性
除非另有规定，否则 TA=25°C、LVCC、HVCC =17 VDC 和 RT=26 k。
符号
参数
工作条件
最小值 典型值 最大值 单位
保护部分
VRT,RESET
开始重启的阈值电压
0.07
tDELAY,RESET 保护后禁用 OSC 电路的延迟
fosc=50 kHz
0.12
0.17
20
V
ms
VLINE
输入电压的导通阈值
2.38
2.50
2.62
V
ILINE
线电压 UVLO 的滞回电流
7.5
9.5
11.5
μA
VOVP
LVCC 过压保护
VAOCP
AOCP 阈值电压
(7)
tBAO
AOCP 消隐时间
VOCP
OCP 阈值电压
tBO
tDA
TSD
21
23
25
V
-1.0
-0.9
-0.8
V
VCS < VAOCP
(7)
OCP 消隐时间
VCS < VOCP
50
-0.64
-0.58
-0.52
V
1.0
1.5
2.0
μs
250
400
ns
135
150
C
(7)
延迟时间（低侧）从 VAOCP 检测到关断
(7)
热关闭温度
ns
120
死区时间控制部分
DT
死区时间(8)
350
ns
注意：
7. 该参数由设计保证；未经产品 测试。
8. 这些参数尽管经过保证，也仅在 EDS（硅片测试）过程中测试。
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电气特性(续)
1.1
1.1
1.05
1.05
Normalized at 25°C
Normalized at 25°C
这些特性图在 TA=25°C 标准化。
1
0.95
0.9
1
0.95
0.9
-50
-25
0
25
50
75
100
-50
-25
0
Temperature (°C)
低侧 MOSFET 占空比与温度的关系
图 5.
1.1
1.1
1.05
1.05
1
0.95
0.9
75
100
开关频率与温度的关系
1
0.95
0.9
-50
-25
0
25
50
75
100
-50
-25
0
图 6.
25
50
75
100
Temperature (°C)
Temperature (°C)
高侧 VCC (HVCC) 启动与温度的关系
图 7.
1.1
1.1
1.05
1.05
Normalized at 25°C
Normalized at 25°C
50
Temperature (°C)
Normalized at 25°C
Normalized at 25°C
图 4.
25
1
0.95
高侧 VCC (HVCC) 停止与温度的关系
1
0.95
0.9
0.9
-50
-25
0
25
50
75
-50
100
图 8.
低侧 VCC (LVCC) 启动与温度的关系
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-25
0
25
50
75
100
Temperature (°C)
Temperature (°C)
图 9.
低侧 VCC (LVCC) 停止与温度的关系
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7
FSFR-HS 系列 — 适用于半桥谐振转换器的先进的飞兆功率开关 (FPS™)
典型性能特征
1.1
1.1
1.05
1.05
Normalized at 25OC
Normalized at 25OC
这些特性图在 TA=25°C 下标准化。
1
0.95
1
0.95
0.9
0.9
-50
-25
0
25
50
75
-50
100
-25
0
25
Temp (OC)
图 10.
50
75
100
Temp (OC)
LVCC OVP 电压与温度的关系
图 11.
RT 电压与温度的关系
1.1
Normalized at 25OC
1.05
1
0.95
0.9
-50
-25
0
25
50
75
100
Temp (OC)
图 12.
图 14.
VRT,RESET 与温度的关系
图 13.
VLINE 与温度的关系
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图 15.
OCP 电压与温度的关系
ILINE 与温度的关系
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8
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典型性能特征（接上页）
这些特性图在 TA=25°C 下标准化。
图 16.
tDELAY,RESET 与温度的关系
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图 17.
VRT,RESET 与温度的关系
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9
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典型性能特征（接上页）
1. 基本操作：FSFR-HS 系 列 设 计 为 驱 动 高 侧 和 低 侧
MOSFET，分别占 50% 占空比。在连续转换期间引入了
固定死区时间 350 ns，如图 18 所示。
Gain
1.8
f min
一旦 LVCC 高于 LVCC,START = 12.5 V，IC 即开始操作，生
成低侧栅极信号并驱动低侧 MOSFET。自举二极管和电
容由低侧 MOSFET 的工作期间得到电荷充电。在 HVCC
上 的 电 压 增 至 达 HVCC,START （ 通 常 为 9.2 V ） 后 ， 为
MOSFET 生成高侧栅极信号。
f normal
f max
f ISS
1.6
1.4
1.2
Dead-Time
High-Side
MOSFET
Gate Drive
1.0
Soft-Start
0.8
Low-Side
MOSFET
Gate Drive
0.6
110
120
130
140
Time
图 20.
MOSFET 栅极驱动信号
+
3V
ICTC
LVCC
RT
ICTC
1V
2ICTC
S
Q
R
-Q
Rmax
-
Rmin
Rss
+
CT
190
200
谐振转换器典型增益曲线
2. 内部振荡器：FSFR-HS 系列采用电流控制振荡器，如
图 19 所示。在内部，RT 引脚的电压调节在 2 V，并且振
荡器电容 CT 的充电/放电电流通过使用电流镜像复制从
RT 引脚 (ICTC) 流出的电流来获得。因此，开关频率随着
ICTC 的增加而增加。
VREF
180
F/F
VDL
FSFR-HS
图 18.
150
160
170
Frequency (kHz)
Css
-
CS
+
-
RT
2V
SG
Divider
图 21.
图 19.
通过将 R-C 系列网络连接至 RT 引脚来建立软启动电路，
如图 21 中所示。起初，工作频率由 RSS 和 Rmin 的并联阻
抗设置。
最小开关频率由下式确定：
1
[ Hz ]
792 p Rmin 0.54 µ
频率控制电路
为避免过大的浪涌电流和启动时输出电压过冲，IC 需要逐
渐增加谐振转换器的电压增益。由于谐振转换器的电压增
益与开关频率成反比，因此实施软启动是通过从初始高频
率 (fISS) 向下扫描开关频率，直至建立输出电压。
电流控制的振荡器
3. 频率设置：图 20 显示谐振转换器的典型电压增益曲
线，其中增益与 ZVS 区中的开关频率成反比。输出电压
可通过调制开关频率来调节。图 21 显示 RT 引脚的典型
电路配置，其中光电耦合器电阻连接至 RT 引脚以调制开
关频率。开关频率可从 20 kHz 控制到 500 kHz。
f min
PG
Gate Drive
3
(1)
假定光电耦合器的饱和电压为 0.2 V，则最大开关频率由
下式确定：
f max
1
[ Hz ]
792 p Rmin || Rmax 0.54 µ
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FSFR-HS 系列 — 适用于半桥谐振转换器的先进的飞兆功率开关 (FPS™)
功能说明
f ss
792 p Rmin
1
[ Hz]
|| RSS 0.54
5. 保护电路：FSFR-HS 系列具有多个自我保护功能；如
过 流 保 护 (OLP) 、 异 常 过 流 保 护 (OCP) 、 过 压 保 护
(OVP)、热关断 (TSD) 和线电压欠压锁定（LUVLO 或欠
压）。这些保护为自动重启模式保护，如图 24 所示。
(3)
一旦检测到故障情况，开关操作即终止并且 MOSFET 保
持关断。当 LVcc 下降至 10 V 的 LVcc 停止电压并且 VRT
低于 0.1 V 的 VRT,RESET ，将复位保护。当 LVcc 达到
12.5 V 的启动电压时，FSFR-HS 恢复正常操作。
软启动时间 tSS, 可由下式计算得出：
tSS 3 RSS CSS [ s ]
(4)
4. 自动重启：即使在有外部电源电压的情况下触发任何内
置保护，FSFR-HS 系列也可自动重启。如图 22 和图 23
所示；一旦触发保护，功率 MOSFET 即停止。计数器开
始操作并且对 1008 时钟进行计数，然后禁用 V-I 转换
器。CSS 在通过电阻 RSS 和 Rmin 自然放电，直至 VRT 下
降至 VRT,RESET，通常为 0.1 V。然后，复位所有保护并且
V-I 转换器恢复。FSFR-HS 再次通过软启动开始开关操
作。
LVCC
7
+
10 / 12.5 V
LVCC Good
Line UVLO
OCP
AOCP
OVP
Auto-Restart
Protection
S
LVCC Good
F/F
AR Signal
(5)
图 24.
V-I Converter
Disable
RT
3
Rss
5.2 异常过流保护 (AOCP)：如果次级整流器二极管短
路，具有极高 di/dt 的大电流可在触发 OCP 之前流经
MOSFET。如果感测引脚电压降至低于 -0.9 V，将触发
AOCP 且没有关断延迟。
Counter
Switching
Shutdown
Css
VRT,RESET
R
LVCC good
5.3 过压保护 (OVP)：当 LVcc 达到 23 V 时，将触发
OVP。当变压器的辅助绕组向 FPS™ 供应 Vcc 时，使
用此保护。
Q
S
OVP
OCP
AOCP
TSD
图 22.
5.4 热关断 (TSD)：MOSFET 和控制 I C 在一个封装中
使控制 I C 检测 MOSFET 的异常过温变得更简单。如
果温度超过约 130C，将触发热关断。
自重启的内部框图
(a) (c) (b)
(a)(c)
(b)
LVCC
6. 线电压欠压锁定 (UVLO)：FSFR-HS 包括具有可编程
滞回电压的精密线电压 UVLO（或欠压）。当感测电阻
R1 和 R2 感测到的当直流母线电压变高时依直流母线电压
成比例缩小的电压 VLS 高于 2.5 V 的 VLINE 时（反之亦
然），此功能可启动或重启 IC。IC 启动和停止电压之间
的滞回电压可由 ILINE 编程。在正常工作条件下，比较器的
输出为高电平并且禁用 ILINE，因此 LS 引脚 VLS, 上的电压
可由 R1 和 R2 的分压获得。相反，当比较器的输出为低
电平时，激活 ILINE。VLS 由流经 R1 的电流和 ILINE 的差异
生成。
VI
converter
VRT
VCss
VRT,RESET
VLS
VLINE
ICr
tcounter
tS/S
保护框图
5.1 过流保护 (OCP)：当感测引脚电压降至低于 -0.58 V
并且其持续时间超过 1.5 µs 的 OCP 消隐时间时，将触
发 OCP 并且 MOSFET 保持关断。
2V
Rmin
Switching
Shutdown
RT 2
VRT,RESET
tSTOP 3 CSS RSS Rmin [ s ]
Q
R -Q
TSD
激活保护后的 1008 时钟的计数器工作时间由 RT 引脚流
出的电流设定，直至 VRT 下降至 VRT,RESET。最后，可估算
FSFR-HS 的停止时间，不需考虑计数器工作时间，如：
Internal
Bias
VREF
-
tcounter
tstop
(a) Protection Trigger, (b) FSFR-HS Restart, (c) Counter Stop
图 23.
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自动重启操作
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初始最大频率可设置为高达 600 kHz，由下式确定：
Cr
启动与停止输入电压可以通过下式计算：
Np
R1 R 2
[V ]
R2
Vdclink,STOP I LINE R1 [V ]
Vdclink,STOP VLINE
(6)
Vdclink,START
(7)
Ns
Ns
控制
IC
VCS
I DS
CS
DC-link
SG
PG
R感测
R1
V CS
IDS
LS
Line Good
2
VLINE
ILINE
R2
CFilter
图 27.
半波检测
I DS
图 25.
半波检测
7. 简单远程开/关：可使用可选自动重启模式关断功率级，
如图 26 所示。
VCS
在自动重启模式下，为配置外部保护电路，需要采用了一
个光电耦合器与 LS 引脚。当 LS 引脚上的电压下拉至低
于 VLINE (2.5 V) 时，IC 在保持停止状态。但是，光电耦合
器停止下拉时 IC 可自动执行自动重启操作。
Cr
VCS
Np
CS
DC-link
PG
SG
Line
Sensing
Resistor
External R1
Protection
控制
IC
R感测
Pulled Down ®
Stop Switching with A/R
图 26.
图 28.
Line OK
ILINE
R2
Ns
IDS
LS
8
Ns
全波检测
8.2 电容感测方法：漏极电流可以采用一个额外的与谐
振电容并联的电容检测，如所示图 29。在低侧开关导通
期间，通过 CB 的电流 iCB 使 VSENSE 加在 RSENSE 上。iCB
是 ip 按阻抗比 Cr 和 CB 的分流。一般地，CB 与 Cr 比较
合适的比值为 1/100~1/1000。RD 用作减少开关转换产
生的噪声的阻尼。通常可使用数百欧姆至几千欧姆。
VLINE
外部保护电路
VSENSE 可由下式估算得出；
8. 电流感测方法：FSFR-HS 系 列 采 用 负 压 感 测 来 检 测
MOSFET 的漏极电流，这允许使用带小时间常数的滤波
器的低噪声电阻感测和电容感测。
Vsense I Cr
pk
CB
Rsense [V ]
Cr
(8)
8.1 电阻感测方法：IC 可感测漏电流为负压，如图 27 和
图 28 所示。半波感测允许感测电阻中较低的功耗，而
全波感测在感测信号中具有较少的开关噪声。对于滤波
器的时间常量范围，3/100~1/10 的工作频率是合理的。
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CFilter 可用于减少变压器或开关转换引起的一些噪声。通
常，几百 pF 至几 十nF 就够了，具体取决于噪声量。
VSENSE
Np
Contro
l IC
CS
PG
SG
RFilter
CFilter
Ns
ip
iCB
Ns
RD
VSENSE
RSENSE
图 29.
CB
Cr
电容检测
图 30.
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占空比平衡的示例
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9. PCB 布局指南：由于主变压器的辐射噪音、主变压器
的次级端漏感不相等等原因可能发生占空比不平衡问
题。RT 引脚附近的控制元件在 PCB 布局上被主初级端
电流环路包围是造成占空比不平衡的主要原因。当高低
侧 MOSFET 交替导通时，由初级端电流流向导致的元
件上磁场的方向发生变化。方向相反的磁场产生通过、
进入或从 RT 引脚流出的电流，这使得每个 MOSFET 的
导通持续时间各不相同。强烈建议将 RT 引脚附近的控
制元件与 PCB 布局上的初级端电流路径分开。图 30 显
示占空比平衡情况的示例。
ip
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物理尺寸
图 31.
9 引脚、单线路内封装 (SIP)
封装图纸是作为一项服务而提供给考虑选用飞兆半导体产品的客户。具体参数可能会有变化，且不会做出相应通知。请注意图纸上的版
本和/或日期，并联系飞兆半导体代表核实或获得最新版本。封装规格并不超出飞兆公司全球范围内的条款与条件，尤其指保修，保修涵
盖飞兆半导体的全部产品。
随时访问飞兆半导体在线封装网页，可以获取最新的封装图纸：
http：//www.fairchildsemi.com/packaging/.
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物理尺寸
图 32.
9 引脚单线路内封装 (SIP) L 成型
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