DATA SHEET
www.onsemi.cn
、2/,
I2C
UQFN8, 1.4x1.2, 0.4P
CASE 523AS
FXMAR2102
FXMAR2102 是性能可置双电压电源换器,可在广泛的
和 出 电 压 电 平 范 围 内 提 双 向 电 压 换 。 同 时,
FXMAR2102 可在推挽式环境工。
旨在兼容I2C−Bus的 机和
机提电压换。提内
10 k 拉电。
器是
A端口
VCCA 电平,B端口
VCCB电平而
的。
而可在1.65 V至5.5 V的意电平双
向A/B端口电压换。在1.65 V至5.5 V电压,VCCA 可等
VCCB。VCC 可电。如果去VCC 电压,则
内掉电控制电将置 器3态模式。
器的端口具有自动感知方向的功能。端口可
感知号,并将出号至端口。
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
意电平的双向接口: 1.65 V 至5.5 V
无方向控制
内10 k拉电
OE 接到VCCA 时, 无系统GPIO源。
I2C−Bus 离
A/B 端 VOL = 175 mV (典型), VIL = 150 mV, IOL = 6 mA
开漏 /出
在推挽式环境工
应标准模式和快模式I2C-总线
备
支持I2C 时延展和多 机
完可置: 和出
VCC
电; VCC可电
如果VCC 接地, 各出变3态
容的出启用开启: 5 V
用8引脚无 MicroPakt (1.6 mm x 1.6 mm) 和!薄 MLP
(1.2 mm x 1.4 mm) 封"
ESD 护!出:
♦ B端口: 8 kV HBM ESD (相对 GND和 VCCB)
♦ : 4 kV HBM ESD (符合 JESD22−A114)
♦ 2 kV CDM (符合 JESD22− C101)
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011
August, 2021 − Rev. 2
1
UQFN8 1.6X1.6, 0.5P
CASE 523AY
MARKING DIAGRAM
BU&K
&2&Z
1
BU
&K
&2
&Z
= Device Code
= 2−Digits Lot Run Traceability Code
= 2−Digit Date Code
= Assembly Plant Code
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information on page 13 of
this data sheet.
Publication Order Number:
FXMAR2102CN/D
FXMAR2102
OE
()
VCCB
10 k
& CTRL
V A
V B
B
A
VCCA
10 k
& CTRL
(带!时)
图 1.
,
www.onsemi.cn
2
FXMAR2102
VCCB
B0
B1
OE
7
6
5
8
4
1
2
3
VCCA
A0
A1
VCCA
A0
2
A1
3
GND
4
GND
1
8
VCCB
7
B0
6
B1
5
OE
图 2. MicroPak ()
图 3. UMLP ()
1
VCCA
A
2, 3
A0, A1
A 3
4
GND
5
OE
6, 7
B1, B0
B 3
8
VCCB
B
OE ( 1)
3
!"
1. #$OE
,
FXMAR2102&'(,A0、A1、B0)B1(+
)-.3,/10 k0
123456VCC 78。
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3
FXMAR2102
VCCA, VCCB
VIN
VO
–0.5
7.0
V
A :
–0.5
7.0
B :
–0.5
7.0
; (OE)
–0.5
7.0
An 3
–0.5
7.0
Bn 3
–0.5
7.0
An <
–0.5
VCCA + 0.5 V
Bn <
–0.5
VCCB + 0.5 V
9
DC 9
9 ( 2)
V
IIK
=>?@>
VIN < 0 V
−
–50
mA
IOK
DC ?@>
VO < 0 V
−
–50
mA
VO > VCC
−
+50
IOH / IOL
–50
+50
mA
−
±100
mA
−
0.129
mW
–65
+150
°C
KL, B:
−
8
kV
KL, (JESD22−A114)
−
4
kV
KL, JESD22−C101
−
2
kV
=>>/A>
ICC
B6=>VCC >
PD
C
TSTG
DEFGH
ESD
IJ
400 KHz
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality
should not be assumed, damage may occur and reliability may be affected.
(MNOP)
#$9QRSTUV!6GH,W"XY。#$Q#$Z%[,\]^&_,W"`aXY,bc
Wde。
2. fghiIojkRSTU。
!"
VCCA, VCCB
VIN
ΘJA
TA
1.65
5.50
V
A :
0
5.5
V
B :
0
5.5
; (OE)
0
VCCA
8 MicroPak
−
279.0
8n MLP
−
302
–40
+85
l
9( 3)
m1
op>q6lEF
°C/W
°C
Functional operation above the stresses listed in the Recommended Operating Ranges is not implied. Extended exposure to stresses beyond
the Recommended Operating Ranges limits may affect device reliability.
(MNOP)
rs6"tVu'6vwlt。xUrs6lt,(u&6R)ey*z{V6|}。~+`,
Qrslt,-,jkRSTU.
。
3. (*6/I/Ofg&VCCI GND。VCCI V/046VCC
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4
FXMAR2102
!#
推荐的电'序:
1. 施加电源到第VCC。
2. 施加电源到第$VCC。
3. &动OE , 启用 器.
推荐的断电'序:
1. &动OE %, 禁用 器.
2. 去VCC 电源。
3. 去另VCC 电源。
"/$%#
FXM换器具有点, 即VCC可
电。 势来源芯片
。如果VCC #
, 各出态。控制(OE)引脚的
就
是
VCCA电源。拉电$制OE 至地, 在电或
掉电%程 ,可确!发生总线"端、%电流或振
荡。拉电的应 基器&动OE 引脚的灌
电流能力。
注意:
4. 或者, 将OE 引脚硬接至VCCA, 可节省GPIO引
脚。如果OE 硬接至VCCA, VCC 可
电和断电。
&
VCCA
V CCB
0.1 F
0.1 F
1
8
V CCA
2
3
5
V CCB
A0
B0
A1
B1
OE
GND
R PD
4
图 4. &
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5
7
6
FXMAR2102
'$
FXMAR2102 具有开漏I/O, 并在四数据I/O的每
引脚(成总&四10k内拉电(RPU), 如图
图4所示。如果对数据I/O引脚(An/Bn) 未用, )
引脚断开接, '!必*的电流流%内
RPU。+总线电容的总数, 可添加外RPU至I/O,
,%总RPU。根据I2C -范(UM10204版本03, 2007
年6月19日),
师可.意,%总拉电, (满
/最大I2C 0沿率的*求。)如, 根据I2C-范, 快
模式(400kbit/s) 时的最大0沿率(30%-70%)
300ns。若总线电容接1最大(400pF), 更%的总RP
U有助持升时%300ns (快模式)。类*
地, I2C-范定+,最小.联时线的电平持续
时600ns (快模式, 400kHz)。,%总RPU有
助增加SCL电平持续时。若总线电容接1
400pF,则合理的2择是/用FXMA2102, 因它!含
内RPU。然后算理想外RPU。
注意:
5. I2C-范的第7.1节
南。
数, R指的是RPU, C 指的是总线电容。如果
FXMAR2102接至 机[在A端口], VCC/2 止。经%RC
时常数后端口的电压VCC/2>后, 端口的
0沿检测器?发动态&动器, /按照由%
到的方向&动它=各自的端口, 加升0沿。所
得升时将构成图5 的示波器图。常明显的是,
升时 出现,明显!同的斜率。第压摆
率(@慢) 是总线的RC时常A。第$压摆率(快得
多) 是加0沿的动态&动器。
如果 换器的A1B端口均, 则在A1B端口
建立抗径, )是因只Npassgates
均已经>断。如果有 机或
机器决定拉SCL
或SDA%, 则 器的&动器拉(Isink)SCL或SDA,
直到0沿=到A或B端口的VCC/2>止。当A或B端
口的>=到时, 端口的0沿检测器?发
动态&动器, 按照由到%(HL)的方向&动它=各自
的端口, 加,沿。
给出,拉电2型的最0指
%(
FXMAR2102
I2C 应用 的性能电平换1
缓冲/ 继而
。图13示每双向45均包含
.联Npassgates 和动态&动器。对*求自动检测
方向的I2C 应用而6, )种混合结构常有利。
)如, 在3种I2C协76%程 :
• 时展宽
•
机的ACK7(第97=0)
在 机的写7
(第87 = 0) 后
• 时同步和多 机88
总线方向*改变, 在未出现0沿的情况,
" 机
到
机"改
"
机到 机"。如果在 机1
机
存在I2C换器, 在):)子当 , 当A1B端口
均%时, I2C 换器必9改变反向。Npassgates可
效地完成):务, )是因, 如果A1B端口均
%, Npassgates 3现%性, 在A1B端口形成短
接。
I2C的开漏拓扑结构, I2C 机和
机!是推挽&
动器。;
;OE,
VIN = VCCA GND
IOFF
>
An
VIN VO = 0 V 5.5 V
0
Bn
VIN VO = 0 V 5.5 V
An, Bn
IOZ
3>
( 7)
1.65 – 5.50 1.65 – 5.50
−
−
±1.0
A
5.50
−
−
±2.0
A
5.50
0
−
−
±2.0
VO = 0 V 5.5 V,
OE = VIL
5.50
5.50
−
−
±2.0
An
VO = 0 V 5.5 V,
OE = ]4
5.50
0
−
−
±2.0
Bn
VO = 0 V 5.5 V,
OE = ]4
0
5.50
−
−
±2.0
A
ICCA/B
I>
( 8, 9)
VIN = VCCIo, IO = 0
1.65 – 5.50 1.65 – 5.50
−
−
5.0
A
ICCZ
I>
( 8)
VIN = VCCI GND, IO = 0,
OE = VIL
1.65 – 5.50 1.65 – 5.50
−
−
5.0
A
ICCA
I>
( 7)
VIN = 5.5 V GND, IO = 0,
OE = ]4, Bn An
A
I>
( 7)
VIN = 5.5 V GND, IO = 0,
OE = ]4, An Bn
ICCB
RPU
6.
7.
8.
9.
10
VCCA
/
VCCB0
0
1.65 – 5.50
−
−
–2.0
1.65 – 5.50
0
−
−
2.0
1.65 – 5.50
0
−
−
–2.0
0
1.65 – 5.50
−
−
2.0
1.65 – 5.50 1.65 – 5.50
−
10
2.0
V}'It569。
|GMpe:。
“]4” V#$,VCCA VCCB。
www.onsemi.cn
8
A
A
FXMAR2102
+,.
"-/0/01 ( 10) (: CL = 50 pF, RPU = NC, r/
, (TA = −40°C+85°C。)
VCCO ( 11)
10.
11.
12.
13.
4.525.5 V
3.023.6 V
2.322.7 V
1.6521.95 V
)*
)*
)*
)*
trise
= ; A:, B: ( 12)
3
4
5
7
ns
tfall
5¡ ; A:, B: ( 13)
1
1
1
1
ns
=/5¡ ¢>v)£_¤&_,¥
?¦§。
VCCO V/046VCC
¨M。© 12
¨M。© 13
+,.
345 ( 14) (: CL = 50 pF, RPU = NC, r/
, ( TA = −40°C+85°C。)
VCCB
3.023.6 V
2.322.7 V
1.6521.95 V
VCCA
68
4.5 V5.5 V
AB
50
50
40
30
MHz
BA
50
50
40
40
AB
50
50
40
19
BA
50
50
40
40
AB
40
40
30
19
BA
40
40
30
30
AB
40
40
30
19
BA
30
30
19
19
3.0 V3.6 V
2.3 V2.7 V
1.65 V1.95 V
14.
4.525.5 V
F−toggle(F-ª、F-«¬)>v&_,¥
?¦§。
www.onsemi.cn
9
MHz
MHz
MHz
FXMAR2102
9- ( 15) (: CL = 50 pF, RPU = 2.2 k, and TA = −40°C+85°C.)
VCCB
4.525.5 V
3.023.6 V
2.322.7 V
1.6521.95 V
)*
)*
)*
)*
AB
1
3
1
3
1
3
1
3
ns
BA
1
3
2
4
3
5
4
7
AB
2
4
3
5
4
6
5
7
BA
2
4
2
5
2
6
5
7
OEA
4
5
6
10
5
9
7
15
VCCA = 4.525.5 V
tPLH
tPHL
tPZL
tPLZ
OEB
3
5
4
7
5
8
10
15
OEA
65
100
65
105
65
105
65
105
ns
ns
5
9
6
10
7
12
9
16
0.50
1.50
0.50
1.00
0.50
1.00
0.50
1.00
ns
AB
2.0
5.0
1.5
3.0
1.5
3.0
1.5
3.0
ns
BA
1.5
3.0
1.5
4.0
2.0
6.0
3.0
9.0
AB
2.0
4.0
2.0
4.0
2.0
5.0
3.0
5.0
BA
2.0
4.0
2.0
4.0
2.0
5.0
3.0
5.0
OEA
4.0
8.0
5.0
9.0
6.0
11.0
7.0
15.0
OEB
tskew
ns
A:, B: ( 16)
VCCA = 3.023.6 V
tPLH
tPHL
tPZL
tPLZ
OEB
4.0
8.0
6.0
9.0
8.0
11.0
10.0
14.0
OEA
100
115
100
115
100
115
100
115
ns
ns
5
10
4
8
5
10
9
15
0.5
1.5
0.5
1.0
0.5
1.0
0.5
1.0
ns
AB
2.5
5.0
2.5
5.0
2.0
4.0
1.0
3.0
ns
BA
1.5
3.0
2.0
4.0
3.0
6.0
5.0
10.0
AB
2.0
5.0
2.0
5.0
2.0
5.0
3.0
6.0
BA
2.0
5.0
2.0
5.0
2.0
5.0
3.0
6.0
OEA
5.0
10.0
5.0
10.0
6.0
12.0
9.0
18.0
OEB
tskew
ns
A:, B: ( 16)
VCCA = 2.322.7 V
tPLH
tPHL
tPZL
tPLZ
tskew
ns
ns
OEB
4.0
8.0
4.5
9.0
5.0
10.0
9.0
18.0
OEA
100
115
100
115
100
115
100
115
OEB
65
110
65
110
65
115
12
25
A:, B: ( 16)
0.5
1.5
0.5
1.0
0.5
1.0
0.5
1.0
ns
ns
ns
VCCA = 1.6521.95 V
tPLH
tPHL
tPZL
tPLZ
tskew
15.
16.
AB
4
7
4
7
5
8
5
10
BA
1.0
2.0
1.0
2.0
1.5
3.0
5.0
10.0
AB
5
8
3
7
3
7
3
7
BA
4
8
3
7
3
7
3
7
OEA
11
15
11
14
14
28
14
23
OEB
6
14
6
12
6
12
9
16
OEA
75
115
75
115
75
115
75
115
OEB
75
115
75
115
75
115
75
115
A:, B: ( 16)
0.5
1.5
0.5
1.0
0.5
1.0
0.5
1.0
ns
ns
ns
ns
qQ)ez{&_C>e。
®D¯E F°±6²G,H³(I´J:6D¯(AnBn),(4´6?eKµ(
)(© 15)。 eW(&_,¥
?¦§。
www.onsemi.cn
10
FXMAR2102
: (TA = +25°C.)
"
)*
CIN
Input Capacitance Control Pin (OE)
VCCA = VCCB = GND
2.2
pF
CI/O
Input/Output Capacitance, An, Bn
VCCA = VCCB = 5.0 V, OE = GND
13
pF
图 8. 78&
1. ?
@#
tPLH, tPHL
z{¶L
VCCA
tPZL (OEAn, Bn)
0V
·4
tPLZ (OEAn, Bn)
0V
17. ¸ kt PZL )t PLZ ¦ § , ¹ ( J º 2.2 k 0 1 » V CCO
¾OE
,10 k RPUk56VCC¿78。
高电平至低电平开关
, ( M ¼ I/O , ´ OE
;
2. 9-;