物料型号：HGTG18N120BN
器件简介：HGTG18N120BN是一款NPT（非打孔型）IGBT设计，属于MOS门控高电压开关IGBT家族的新成员。它结合了MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通损耗的优点，非常适合在中等频率下运行且导通损耗低的高电压开关应用，如交流和直流电机控制、电磁铁、继电器和接触器的电源供应和驱动。
引脚分配：文档中提供了IGBT的符号和封装信息，但没有明确列出每个引脚的功能。通常，IGBT有三个引脚：栅极（Gate）、发射极（Emitter）和集电极（Collector）。
参数特性：
- 集电极-发射极电压（BVcEs）：1200V
- 集电极连续电流（Ic）：54A（Tc=25°C），26A（Tc=110°C）
- 脉冲集电极电流（Ic）：160A
- 栅极-发射极电压（VGEs）：连续+20V，脉冲+30V
- 开关状态操作区域（SSOA）：150°C时100A at 1200V
- 总功耗（P）：390W（Tc=25°C）
- 功耗降额 > 25°C：3.12°C/W
- 正向电压雪崩能量（EAv）：125mJ
- 工作和存储结温范围（Tj, Tstg）：-55至150℃
- 焊接时最大引脚温度：260℃
- 短路承受时间（tsc）：VGe=15V时8秒，VGE=12V时15微秒
功能详解：HGTG18N120BN IGBT设计用于高电压开关应用，具有高输入阻抗和低导通损耗，适合在中等频率下工作。它还具有短路承受能力、低导通损耗和雪崩等级。
应用信息：适用于AC和DC电机控制、电磁铁、继电器和接触器的电源供应和驱动。
封装信息：JEDEC风格的TO-247封装。
