物料型号：HUFA75339G3、HUFA75339P3、HUFA75339S3S
器件简介：这些N沟道功率MOSFET使用创新的UltraFET®工艺制造，具有75A、55V的额定电流和电压，提供优异的性能。
适合在需要高功率效率的应用中使用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关以及便携式和电池供电产品的电源管理。
引脚分配：
- TO-247封装：源极(D)、漏极(S)（带散热片）、门极(G)
- TO-220AB封装：源极(D)、漏极(S)（带法兰）、门极(G)
- TO-263AB封装：源极(D)、漏极(S)（带法兰）、门极(G)
参数特性：
- 连续漏极电流：75A
- 漏源导通电阻：最大0.012欧姆
- 漏源击穿电压：55V
- 栅源阈值电压：2V至4V
功能详解：
- 这些MOSFET能够在雪崩模式下承受高能量，并且其内部二极管具有非常低的反向恢复时间和存储电荷。
- 提供了温度补偿的PSPICE®和SABER™模型，以及热阻模型。
应用信息：
- 设计用于汽车行业所需的极端测试条件和环境，符合AEC Q101标准。
- 可靠性数据可在网上找到。
封装信息：
- 提供TO-247、TO-220AB和TO-263AB三种封装类型。
- 可提供卷带包装，例如HUFA75339S3ST。
