HUFA75823D3ST

物料型号：HUFA75823D3（TO-251AA封装）和HUFA75823D3S（TO-252AA封装）

器件简介：HUFA75823D3和HUFA75823D3S是14A、150V、0.150欧姆的N-Channel UltraFET® Power MOSFET。

引脚分配： - DRAIN（漏极） - SOURCE（源极） - GATE（栅极）

参数特性： - 超低导通电阻：在V_{GS}=10V时，r_{DS(ON)}=0.150欧姆 - 封装形式：TO-251AA和TO-252AA - 温度补偿的PSPICE®和SABER™电气模型 - SPICE和SABER热阻模型

功能详解： - 器件适用于需要高能效和高功率密度的应用 - 提供了脉冲宽度与峰值电流的关系曲线 - 提供了UIS额定曲线

应用信息： - 产品经过极端测试条件和环境验证，符合汽车行业要求 - 可靠性数据可在线查询

封装信息： - UltraFET封装 - JEDEC TO-251AA和JEDEC TO-252AA标准

绝对最大额定值（25°C条件下，除非另有说明）： - 漏极到源极电压：150V - 漏极到栅极电压（R_Gs=20k）：150V - 栅极到源极电压：+20V - 漏极电流： - 25°C连续：14A - 100°C连续：10A - 脉冲漏极电流：见图4 - 雪崩额定值：见图6、14、15 - 功率耗散：85W - 25°C以上每摄氏度降额0.57W - 工作和存储温度范围：-55至175°C - 最大焊接温度：300°C（引脚距离外壳0.063英寸处，持续10秒） - 封装体焊接温度：260°C（见技术简报TB334，持续10秒）

注意事项： - 列出的应力值是仅用于压力测试的额定值，并不意味着在此或任何其他超出本规格操作部分所指示的条件可以操作此设备。

- 产品已设计以满足汽车行业的极端测试条件和环境要求。

有关要求的副本，请参阅AEC Q101。

- 所有Fairchild半导体产品均在ISO9000和QS9000质量体系认证下制造、组装和测试。

电气规格（25°C，除非另有说明）： - 漏极到源极击穿电压：150V - 零栅极电压漏极电流：在不同条件下有不同的最小值 - 栅极到源极漏电流：+100nA - 栅极到源极阈值电压：2V至4V - 热阻从结到外壳：1.76°C/W - 热阻从结到环境：100°C/W

开关规格（V_GS 10V）： - 导通时间：48ns - 导通延迟时间：7.7ns - 上升时间：24ns - 关闭延迟时间：45ns - 下降时间：26ns - 关闭时间：105ns

栅极电荷规格： - 总栅极电荷：54nC - 10V时栅极电荷：29nC - 阈值栅极电荷：1.9nC - 栅极到源极栅极电荷：3.4nC - 栅极到漏极“米勒”电荷：8.8nC

电容规格： - 输入电容：800pF - 输出电容：180pF - 反向传输电容：65pF

源到漏二极管规格： - 源到漏二极管电压：1.25V（在14A时）和1.00V（在7A时） - 反向恢复时间：150ns - 反向恢复电荷：750nC

典型性能曲线和测试电路图包含在文档中。