IRLW630ATM

- 物料型号：IRLW/I630A - 器件简介：该MOSFET具有雪崩坚固技术、坚固的栅氧化技术、更低的输入电容、改进的栅电荷、扩展的安全工作区、150°C的工作温度、更低的漏电流（最大10µA @ VDS = 200V）、更低的导通电阻（典型值0.335Ω）。 - 引脚分配：1. Gate（栅极）2. Drain（漏极）3. Source（源极） - 参数特性： - 绝对最大额定值：包括漏源电压、栅源电压、雪崩能量、总功耗等。 - 热阻：包括结到外壳、结到环境的热阻。 - 电气特性：包括漏源击穿电压、栅阈值电压、栅源漏电流、导通电阻、输入电容等。 - 功能详解：文档提供了详细的电气特性表和图表，包括输出特性、导通电阻与漏电流的关系、电容与漏源电压的关系、栅电荷与栅源电压的关系等。 - 应用信息：文档中没有明确提供应用信息，但根据器件的特性，可以推断它适用于需要高功率和高效率的应用场合。 - 封装信息：提到了D2-PAK和I2-PAK封装类型。