MC74VHCXXXDT

ON Semiconductort Octal D−Type Flip−Flop with 3−State Output MC74VHC574 The MC74VHC574 is an advanced high speed CMOS octal flip−flip with 3−state output fabricated with silicon gate CMOS technology. It achieves high speed operation similar to equivalent Bipolar Schottky TTL while maintaining CMOS low power dissipation. This 8−bit D−type flip−flop is controlled by a clock input and an output enable input. When the output enable input is high, the eight outputs are in a high impedance state. The internal circuit is composed of three stages, including a buffer output which provides high noise immunity and stable output. The inputs tolerate voltages up to 7V, allowing the interface of 5V systems to 3V systems. • High Speed: fmax = 180MHz (Typ) at VCC = 5V • Low Power Dissipation: ICC = 4μA (Max) at TA = 25°C • High Noise Immunity: VNIH = VNIL = 28% VCC • Power Down Protection Provided on Inputs • Balanced Propagation Delays • Designed for 2V to 5.5V Operating Range • Low Noise: VOLP = 1.2V (Max) • Pin and Function Compatible with Other Standard Logic Families • Latchup Performance Exceeds 300mA • ESD Performance: HBM > 2000V; Machine Model > 200V • Chip Complexity: 266 FETs or 66.5 Equivalent Gates DW SUFFIX 20−LEAD SOIC WIDE PACKAGE CASE 751D−05 DT SUFFIX 20−LEAD TSSOP PACKAGE CASE 948E−02 M SUFFIX 20−LEAD SOIC EIAJ PACKAGE CASE 967−01 ORDERING INFORMATION MC74VHCXXXDW SOIC WIDE MC74VHCXXXDT TSSOP MC74VHCXXXM SOIC EIAJ w These devices are available in Pb−free package(s). Specifications herein apply to both standard and Pb−free devices. Please see our website at www.onsemi.com for specific Pb−free orderable part numbers, or contact your local ON Semiconductor sales office or representative. © Semiconductor Components Industries, LLC, 2006 March, 2006 − Rev. 5 1 Publication Order Number: MC74VHC574/D D0 D1 D2 DATA INPUTS D3 D4 D5 D6 D7 CP 2 3 4 5 6 7 8 9 11 19 18 17 16 15 14 13 12 Q0 Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q7 NONINVERTING OUTPUTS OE D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 GND 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 20 19 18 17 16 15 14 13 12 11 VCC Q0 Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q7 CP OE 1 Figure 1. LOGIC DIAGRAM Figure 2. PIN ASSIGNMENT FUNCTION TABLE INPUTS OE L L L H CP D H L X X OUTPUT Q H L No Change Z L, H, X http://onsemi.com 2 ÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ MAXIMUM RATINGS* Symbol VCC Vin IIK Vout IOK Iout PD ICC Parameter Value Unit V V V DC Supply Voltage DC Input Voltage – 0.5 to + 7.0 – 0.5 to + 7.0 DC Output Voltage – 0.5 to VCC + 0.5 − 20 ± 20 ± 25 ± 75 500 450 Input Diode Current mA mA mA mA Output Diode Current DC Output Current, per Pin DC Supply Current, VCC and GND Pins Power Dissipation in Still Air, Storage Temperature SOIC Packages† TSSOP Package† mW _C Tstg – 65 to + 150 * Absolute maximum continuous ratings are those values beyond which damage to the device may occur. Exposure to these conditions or conditions beyond those indicated may adversely affect device reliability. Functional operation under absolute−maximum−rated conditions is not implied. †Derating — SOIC Packages: – 7 mW/_C from 65_ to 125_C TSSOP Package: − 6.1 mW/_C from 65_ to 125_C This device contains protection circuitry to guard against damage due to high static voltages or electric fields. However, precautions must be taken to avoid applications of any voltage higher than maximum rated voltages to this high−impedance circuit. For proper operation, Vin and Vout should be constrained to the range GND v (Vin or Vout) v VCC. Unused inputs must always be tied to an appropriate logic voltage level (e.g., either GND or V CC ). Unused outputs must be left open. RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS Symbol VCC Vin TA Vout tr, tf Parameter DC Supply Voltage DC Input Voltage Min 2.0 0 0 Max 5.5 5.5 Unit V V V DC Output Voltage VCC 100 20 Operating Temperature − 40 0 0 + 85 _C Input Rise and Fall Time VCC = 3.3V VCC = 5.0V ns/V DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS Symbol VIH Parameter Test Conditions VCC V TA = 25°C Typ TA = − 40 to 85°C Min Max Min Max Unit V Minimum High−Level Input Voltage 2.0 3.0 to 5.5 2.0 3.0 to 5.5 2.0 3.0 4.5 3.0 4.5 2.0 3.0 4.5 3.0 4.5 1.50 VCC x 0.7 1.50 VCC x 0.7 VIL Maximum Low−Level Input Voltage Minimum High−Level Output Voltage 0.50 VCC x 0.3 0.50 VCC x 0.3 V VOH Vin = VIH or VIL IOH = − 50μA 1.9 2.9 4.4 2.0 3.0 4.5 1.9 2.9 4.4 V Vin = VIH or VIL IOH = − 4mA IOH = − 8mA Vin = VIH or VIL IOL = 50μA 2.58 3.94 2.48 3.80 VOL Maximum Low−Level Output Voltage 0.0 0.0 0.0 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 V Vin = VIH or VIL IOL = 4mA IOL = 8mA 0.36 0.36 0.44 0.44 http://onsemi.com 3 28 CPD Power Dissipation Capacitance (Note 2) pF 1. Parameter guaranteed by design. tOSLH = |tPLHm − tPLHn|, tOSHL = |tPHLm − tPHLn|. 2. CPD is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption without load. Average operating current can be obtained by the equation: ICC(OPR) = CPD  VCC  fin + ICC / 8 (per flip−flop). CPD is used to determine the no−load dynamic power consumption; PD = CPD  VCC2  fin + ICC  VCC. Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎ Î Î Î ÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎ Î Î Î ÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎ ÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î Î Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ Î Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎ Î ÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ Î Î Î Î Î Î Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎ Î ÎÎ ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Input tr = tf = 3.0ns) DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS Symbol Symbol tOSLH, tOSHL tPLH, tPHL tPLZ, tPHZ tPZL, tPZH Cout fmax ICC IOZ Cin Iin Maximum Three−State Output Capacitance, Output in High−Impedance State Maximum Input Capacitance Output to Output Skew Output Disable Time, OE to Q Output Enable Time, OE to Q Maximum Propagation Delay, CP to Q Maximum Clock Frequency (50% Duty Cycle) Maximum Quiescent Supply Current Maximum Three−State Leakage Current Maximum Input Leakage Current Parameter Parameter Vin = VCC or GND Vin = VIL or VIH Vout = VCC or GND Vin = 5.5V or GND Test Conditions VCC = 5.0 ± 0.5V (Note 1) VCC = 3.3 ± 0.3V (Note 1) VCC = 5.0 ± 0.5V RL = 1kΩ VCC = 3.3 ± 0.3V RL = 1kΩ VCC = 5.0 ± 0.5V RL = 1kΩ VCC = 3.3 ± 0.3V RL = 1kΩ VCC = 5.0 ± 0.5V VCC = 3.3 ± 0.3 VCC = 5.0 ± 0.5V VCC = 3.3 ± 0.3V Test Conditions 0 to 5.5 VCC V 5.5 5.5 CL = 15pF CL = 50pF CL = 15pF CL = 50pF CL = 15pF CL = 50pF CL = 15pF CL = 50pF CL = 50pF CL = 50pF CL = 50pF CL = 15pF CL = 50pF CL = 15pF CL = 50pF CL = 50pF Min Min 130 85 80 50 — — — — — — — — — — — — — — TA = 25°C Typ TA = 25°C 8.2 10.7 11.0 8.5 11.0 Typ 180 115 125 75 7.1 5.9 7.4 5.6 7.1 — — 6 4 Typical @ 25°C, VCC = 5.0V ± 0.25 ± 0.1 Max 4.0 10.1 15.0 12.8 16.3 8.6 10.6 13.2 16.7 Max 9.0 11.0 1.0 1.5 10 — — — — — TA = − 40 to 85°C Min TA = − 40 to 85°C Min 110 75 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 65 45 — — — — ± 2.5 ± 1.0 40.0 Max 17.0 10.5 12.5 15.0 18.5 10.0 12.0 15.5 19.0 Max 11.5 1.0 1.5 10 — — — — — Unit Unit μA μA μA pF pF ns ns ns ns ns ns http://onsemi.com 4 NOISE CHARACTERISTICS (Input tr = tf = 3.0ns, CL = 50pF, VCC = 5.0V) TA = 25°C Symbol VOLP VOLV VIHD VILD Quiet Output Maximum Dynamic VOL Quiet Output Minimum Dynamic VOL Minimum High Level Dynamic Input Voltage Maximum Low Level Dynamic Input Voltage Parameter Typ 0.9 − 0.9 — — Max 1.2 − 1.2 3.5 1.5 Unit V V V V TIMING REQUIREMENTS (Input tr = tf = 3.0ns) TA = 25°C Symbol tsu th tw Parameter Minimum Setup Time, D to CP Minimum Hold Time, CP to D Minimum Pulse Width, CP Test Conditions VCC = 3.3 ± 0.3 V VCC = 5.0 ± 0.5 V VCC = 3.3 ± 0.3 V VCC = 5.0 ± 0.5 V VCC = 3.3 ± 0.3 V VCC = 5.0 ± 0.5 V Typ — — — — — — Limit 3.5 3.5 1.5 1.5 5.0 5.0 TA = − 40 to 85°C Limit 3.5 3.5 1.5 1.5 5.5 5.0 Unit ns ns ns CP 50% tw 1/fmax tPLH tPHL VCC GND OE 50% tPZL tPLZ VCC GND HIGH IMPEDANCE VOL +0.3V VOH −0.3V HIGH IMPEDANCE Q Q 50% VCC tPZH 50% VCC tPHZ Q 50% VCC Figure 3. Switching Waveforms VALID D 50% tsu CP th 50% VCC GND VCC GND DEVICE UNDER TEST TEST POINT OUTPUT C L* *Includes all probe and jig capacitance Figure 4. Figure 5. http://onsemi.com 5 D0 2 C Q D C Q D C Q D C Q D C Q D C Q D C Q D C Q D 11 1 19 Q0 D1 3 18 Q1 D2 4 17 Q2 D3 5 16 Q3 D4 6 15 Q4 D5 7 14 Q5 D6 8 13 Q6 D7 9 12 Q7 CP OE Figure 6. Expanded Logic Diagram TEST POINT OUTPUT DEVICE UNDER TEST 1 kΩ CONNECT TO VCC WHEN TESTING tPLZ AND tPZL. CONNECT TO GND WHEN TESTING tPHZ AND tPZH. INPUT C L* *Includes all probe and jig capacitance Figure 7. Test Circuit Figure 8. INPUT EQUIVALENT CIRCUIT http://onsemi.com 6 OUTLINE DIMENSIONS DW SUFFIX SOIC CASE 751D−05 ISSUE F D A 11 X 45 _ q NOTES: 1. DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS. 2. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES PER ASME Y14.5M, 1994. 3. DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLD PROTRUSION. 4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 PER SIDE. 5. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE DAMBAR PROTRUSION. ALLOWABLE PROTRUSION SHALL BE 0.13 TOTAL IN EXCESS OF B DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL CONDITION. DIM A A1 B C D E e H h L q MILLIMETERS MIN MAX 2.35 2.65 0.10 0.25 0.35 0.49 0.23 0.32 12.65 12.95 7.40 7.60 1.27 BSC 10.05 10.55 0.25 0.75 0.50 0.90 0_ 7_ H M B M 20 10X 0.25 E 1 10 20X B 0.25 M B TA S B S A e SEATING PLANE h 18X A1 T C DT SUFFIX TSSOP CASE 948E−02 ISSUE A 20X K REF M L 0.15 (0.006) T U S 0.10 (0.004) TU S V S 2X L PIN 1 IDENT 1 10 B − U− J J1 N 0.15 (0.006) T U S A −V− N F C D 0.100 (0.004) −T− SEATING PLANE G H DETAIL E http://onsemi.com 7 ÍÍÍÍ ÍÍÍÍ ÍÍÍÍ SECTION N−N M DETAIL E L/2 20 11 K K1 0.25 (0.010) NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER. 3. DIMENSION A DOES NOT INCLUDE MOLD FLASH, PROTRUSIONS OR GATE BURRS. MOLD FLASH OR GATE BURRS SHALL NOT EXCEED 0.15 (0.006) PER SIDE. 4. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE INTERLEAD FLASH OR PROTRUSION. INTERLEAD FLASH OR PROTRUSION SHALL NOT EXCEED 0.25 (0.010) PER SIDE. 5. DIMENSION K DOES NOT INCLUDE DAMBAR PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR PROTRUSION SHALL BE 0.08 (0.003) TOTAL IN EXCESS OF THE K DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL CONDITION. 6. TERMINAL NUMBERS ARE SHOWN FOR REFERENCE ONLY. 7. DIMENSION A AND B ARE TO BE DETERMINED AT DATUM PLANE −W−. DIM A B C D F G H J J1 K K1 L M MILLIMETERS MIN MAX 6.40 6.60 4.30 4.50 −−− 1.20 0.05 0.15 0.50 0.75 0.65 BSC 0.27 0.37 0.09 0.20 0.09 0.16 0.19 0.30 0.19 0.25 6.40 BSC 0_ 8_ INCHES MIN MAX 0.252 0.260 0.169 0.177 −−− 0.047 0.002 0.006 0.020 0.030 0.026 BSC 0.011 0.015 0.004 0.008 0.004 0.006 0.007 0.012 0.007 0.010 0.252 BSC 0_ 8_ −W− OUTLINE DIMENSIONS M SUFFIX SOIC EIAJ CASE 967−01 ISSUE O NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER. 3. DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLD FLASH OR PROTRUSIONS AND ARE MEASURED AT THE PARTING LINE. MOLD FLASH OR PROTRUSIONS SHALL NOT EXCEED 0.15 (0.006) PER SIDE. 4. TERMINAL NUMBERS ARE SHOWN FOR REFERENCE ONLY. 5. THE LEAD WIDTH DIMENSION (b) DOES NOT INCLUDE DAMBAR PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR PROTRUSION SHALL BE 0.08 (0.003) TOTAL IN EXCESS OF THE LEAD WIDTH DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL CONDITION. DAMBAR CANNOT BE LOCATED ON THE LOWER RADIUS OR THE FOOT. MINIMUM SPACE BETWEEN PROTRUSIONS AND ADJACENT LEAD TO BE 0.46 ( 0.018). DIM A A1 b c D E e HE L LE M Q1 Z MILLIMETERS MIN MAX −−− 2.05 0.05 0.20 0.35 0.50 0.18 0.27 12.35 12.80 5.10 5.45 1.27 BSC 7.40 8.20 0.50 0.85 1.10 1.50 10 _ 0_ 0.70 0.90 −−− 0.81 INCHES MIN MAX −−− 0.081 0.002 0.008 0.014 0.020 0.007 0.011 0.486 0.504 0.201 0.215 0.050 BSC 0.291 0.323 0.020 0.033 0.043 0.059 0_ 10 _ 0.028 0.035 −−− 0.032 20 11 LE Q1 M_ L DETAIL P E HE 1 10 Z D e A VIEW P c b 0.13 (0.005) M A1 0.10 (0.004) ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner. PUBLICATION ORDERING INFORMATION LITERATURE FULFILLMENT: N. American Technical Support: 800−282−9855 Toll Free Literature Distribution Center for ON Semiconductor USA/Canada P.O. Box 61312, Phoenix, Arizona 85082−1312 USA Phone: 480−829−7710 or 800−344−3860 Toll Free USA/Canada Japan : ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center 2−9−1 Kamimeguro, Meguro−ku, Tokyo, Japan 153−0051 Fax: 480−829−7709 or 800−344−3867 Toll Free USA/Canada Phone: 81−3−5773−3850 Email: orderlit@onsemi.com ON Semiconductor Website: http://onsemi.com Order Literature: http://www.onsemi.com/litorder For additional information, please contact your local Sales Representative. http://onsemi.com 8 MC74VHC574/D