MMBT6520LT1G

物料型号：MMBT6520L, NSVMMBT6520L

器件简介：这些是ON Semiconductor生产的高电压PNP硅晶体管，具有汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用的NSV前缀。这些设备符合AEC-Q101标准，无铅、无卤素/无溴化物，符合RoHS标准。

引脚分配：SOT-23封装，引脚1为基极，引脚2为发射极，引脚3为集电极。

参数特性： - 集电极-发射极电压（VCEO）：-350Vdc - 集电极-基极电压（VCBO）：-350Vdc - 发射极-基极电压（VEBO）：-5.0Vdc - 基极电流（IB）：-250mA - 集电极电流（Ic）：-500mAdc

功能详解：文档提供了详细的电气特性，包括关断特性、导通特性和小信号特性。例如，关断状态下的集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）为-350Vdc，导通状态下的直流电流增益（hFE）范围从30至200，集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）范围从-0.30至-1.0Vdc。

应用信息：这些晶体管适用于需要高电压和功率的应用，如电源管理、电机驱动和开关模式电源。

封装信息：SOT-23 (TO-236) CASE 318 STYLE 6，提供了详细的热特性和标记图。