NTBG060N065SC1

### 物料型号 - 型号：NTBG060N065SC1 - 封装：D2PAK-7L

### 器件简介 - 类型：硅碳化物（SiC）MOSFET - 特性：EliteSiC，44毫欧姆，650V，M2，D2PAK-7L - 典型应用：开关电源（SMPS）、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、能量储存

### 引脚分配 - 功率源（引脚3, 4, 5, 6, 7） - N-CHANNEL MOSFET

### 参数特性 - 最大额定值： - 漏源电压（Vpss）：650V - 栅源电压（VGS）：-5V 至 +18V - 推荐操作栅源电压（VGSop）：-5V 至 +18V - 连续漏电流（ID）：46A（25°C时） - 功率耗散（PD）：170W（25°C时） - 热特性： - 结到壳热阻（ReJC）：0.88°C/W - 结到环境热阻（ReJA）：最大40°C/W

### 功能详解 - 特性： - 典型RDS(on) = 44毫欧姆 @ VGS=18V - 超低栅电荷（QG(tot) = 74纳库） - 低输出电容（Coss = 133皮法） - 100%雪崩测试 - 工作结温（TJ）= 175°C - 符合RoHS标准

### 应用信息 - 应用：适用于需要高效率、高耐压和快速开关的应用，如开关电源、太阳能逆变器等。

### 封装信息 - 封装类型：D2PAK-7L - 包装：800/卷带