### 物料型号
- 型号：NTBG060N065SC1
- 封装：D2PAK-7L
### 器件简介
- 类型：硅碳化物（SiC）MOSFET
- 特性：EliteSiC，44毫欧姆，650V，M2，D2PAK-7L
- 典型应用：开关电源（SMPS）、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、能量储存
### 引脚分配
- 功率源（引脚3, 4, 5, 6, 7）
- N-CHANNEL MOSFET
### 参数特性
- 最大额定值：
- 漏源电压（Vpss）：650V
- 栅源电压（VGS）：-5V 至 +18V
- 推荐操作栅源电压（VGSop）：-5V 至 +18V
- 连续漏电流（ID）：46A（25°C时）
- 功率耗散（PD）：170W（25°C时）
- 热特性：
- 结到壳热阻（ReJC）：0.88°C/W
- 结到环境热阻（ReJA）：最大40°C/W
### 功能详解
- 特性：
- 典型RDS(on) = 44毫欧姆 @ VGS=18V
- 超低栅电荷（QG(tot) = 74纳库）
- 低输出电容（Coss = 133皮法）
- 100%雪崩测试
- 工作结温（TJ）= 175°C
- 符合RoHS标准
### 应用信息
- 应用：适用于需要高效率、高耐压和快速开关的应用，如开关电源、太阳能逆变器等。
### 封装信息
- 封装类型：D2PAK-7L
- 包装：800/卷带
