NTMFS08N2D5C

物料型号：NTMFS08N2D5C 器件简介：这是一个使用ON Semiconductor的先进PowerTrench工艺生产的N-Channel MV MOSFET，该工艺集成了Shielded Gate技术。

该工艺经过优化，旨在最小化导通电阻，同时保持优越的开关性能和最佳软体二极管。

引脚分配：S (1, 2, 3), G (4), D (5, 6, 7, 8) 参数特性：80 V漏源电压，+20 V栅源电压，最大166 A漏电流，600 mJ单脉冲雪崩能量，138 W功率耗散，-55至+150摄氏度的结温范围。

功能详解：Shielded Gate MOSFET技术，最大导通电阻为2.7 mΩ（在10 V栅源电压和68 A漏电流下），在6 V栅源电压和34 A漏电流下为8 mΩ，比其他MOSFET供应商的Qrr低50%，降低开关噪声/EMI，MSL1坚固的封装设计，100% UIL测试。

应用信息：主要应用于DC-DC MOSFET同步整流器、DC-AC和AC-DC电机驱动、太阳能。

封装信息：Power 56 (PQFN8) CASE 483AF，标记图示为S D $Y&Z&3&K NTMFS 08N2D5C，其中$Y代表ON Semiconductor标志，&Z代表装配厂代码，&3代表数字日期代码，&K代表批量代码，NTMFS08N2D5C代表特定器件代码。

封装的热特性包括0.9°C/W的结到外壳热阻和45°C的结到环境热阻。

电气特性包括在25°C下的各种漏源击穿电压、栅源漏电流、阈值电压、导通电阻、跨导、电容和开关特性。

封装尺寸遵循JEDEC MO-240标准。