NTMFS4833NAT1G

1. 物料型号：NTMFS4833NA 2. 器件简介： - 30V，191A的单N沟道功率MOSFET - SO-8FL封装 - 特点包括低Rps(on)以最小化导通损耗，低电容以最小化驱动损耗，优化的栅极电荷以最小化开关损耗 - 这些设备是无铅的 - 应用包括CPU电源交付、DC-DC转换器、低端开关等 3. 引脚分配： - D(5)O：漏极 - G(4)O：栅极 - S(1.2.3)：源极 4. 参数特性： - 最大额定值包括30V的漏源电压、+20V的栅源电压和28A的连续漏源电流 - 在25°C时，连续漏电流为16A，而在85°C时为12A - 脉冲漏电流在25°C时为288A - 工作结温和存储温度范围为-55°C至+150°C 5. 功能详解： - 包括电气特性、开关特性、体二极管特性、寄生参数等详细描述 6. 应用信息： - 适用于CPU电源交付、DC-DC转换器等 7. 封装信息： - SO-8FL封装，1500/卷装运输 - 提供了详细的封装尺寸和标记图