物料型号:NTMFSC2D9N08H
器件简介:80V, 2.9 mΩ, 154A N-Channel MOSFET,采用先进的双面冷却封装技术,极低的导通电阻以减少导通损耗,MSL1封装设计,低Qg和Qoss以减少电荷损耗,无铅、无卤素/无溴氟化合物,符合RoHS标准。
引脚分配:1-Drain, 2-Source, 3-Source, 4-Drain, 5-Drain, 6-Gate, 7-Source, 8-Source
参数特性:包括但不限于漏源击穿电压、栅源电压、连续漏极电流、功耗、脉冲漏极电流、工作结温和存储温度范围、源极电流、单脉冲漏源雪崩能量、引脚温度(焊接回流)
功能详解:适用于DC-DC转换、整流FET/负载开关、同步整流等应用。
应用信息:适用于DC-DC转换、整流FET/负载开关、同步整流等应用。
封装信息:DFN8 5x6.15封装,具体尺寸和机械特性在文档中有详细描述。
以上信息摘自onsemi官网提供的PDF数据手册。