物料型号:NTMFSS1D3N06CL
器件简介:这是一颗功率MOSFET,具有单N沟道,源极下压型,TDFN9封装,60V耐压,导通电阻1.3毫欧,最大电流243安培。
引脚分配:D(5, 6, 7, 8)为漏极,G(9)为栅极,S(1, 2, 3, 4)为源极。
参数特性:包括但不限于漏极-源极击穿电压、栅极-源极漏电流、阈值电压、导通电阻、前向跨导、栅极电阻、输入/输出/反向电容、总栅极电荷等。
功能详解:该器件具有小尺寸、低导通电阻、低栅极电荷和电容特性,适用于DC-DC转换器、电源负载开关、笔记本电脑电池管理、同步整流器等应用。
应用信息:适用于需要高效率和高功率密度的应用,如DC-DC转换器、电源管理、同步整流等。
封装信息:TDFN9封装,尺寸为5x6mm,符合无铅和无卤素的环保要求,符合RoHS标准。