物料型号：
- 型号：NVBG075N065SC1
- 封装：D2PAK-7L
器件简介：
- 该器件是一款硅碳化物（SiC）MOSFET，具有超低的门极电荷、低输出电容，并且通过了100%雪崩测试。符合AEC-Q101认证，PPAP能力，RoHS合规。
引脚分配：
- 电源引脚（3, 4, 5, 6, 7）：N沟道MOSFET的电源连接端。
参数特性：
- 漏源电压（Vpss）：650V
- 栅源电压（VGS）：推荐操作值为-5V至+18V
- 连续漏极电流（ID）：在25°C时为37A，在100°C时为26A
- 功率耗散（PD）：在25°C时为139W，在100°C时为69W
- 脉冲漏极电流（IDM）：在25°C时为101A
- 工作结温和存储温度范围（TJ,Tstg）：-55至+175°C
- 源极电流（体二极管Is）：32A
- 单脉冲漏源雪崩能量（EAS）：83mJ
- 最大焊接引脚温度（TL）：260°C
功能详解：
- 该器件具有低RDS(on)、超低门极电荷和低输出电容，适合用于需要高效率和高速度的应用场合。
应用信息：
- 典型应用包括汽车车载充电器和电动汽车/混合动力汽车的DC/DC转换器。
封装信息：
- 封装类型：D2PAK-7L CASE 418BJ
- 封装尺寸详细信息在文档中有具体图表和数值描述。
