物料型号为NVH4L015N065SC1,是一款硅碳化物(SiC)MOSFET,具有12毫欧姆的导通电阻,650V的漏极-源极电压,M2型号,封装为TO-247-4L。
器件简介:
- 典型导通电阻R_DS(on)在18V门极电压下为12毫欧姆,在15V门极电压下为15毫欧姆。
- 超低门极电荷Q_G(tot)为283纳库。
- 高速开关,低电容C_oss为430皮法。
- 100%雪崩测试。
- AEC-Q101认证,PPAP能力。
- 无卤素,符合RoHS标准,豁免7a,无铅。
引脚分配:
- S1: Driver Source(驱动源)
- S2: Power Source(电源)
- G: Gate(门极)
- D: Drain(漏极)
- S1和S2为源极,G为门极,D为漏极。
参数特性:
- 最大漏极-源极电压:650V
- 门极-源极电压:-8V至+22V
- 门极-源极电压操作值:-5V至+18V
- 连续漏极电流:25°C时为142A,100°C时为100A
- 功率耗散:25°C时为500W,100°C时为250W
- 脉冲漏极电流:483A
- 单脉冲浪涌漏极电流能力:798A
- 工作结温和储存温度范围:-55°C至+175°C
- 源极电流(体二极管):114A
- 单脉冲漏极-源极雪崩能量:84毫焦
功能详解:
- 该器件适用于汽车车载充电器、汽车DC-DC转换器(用于电动车/混合动力车)、汽车牵引逆变器等。
- 具有超低导通电阻和高速开关特性,适合高效率的应用。
- 通过AEC-Q101认证,适合汽车应用。
应用信息:
- 适用于汽车领域的高效率电源转换。
封装信息:
- 封装类型:TO-247-4L
- 包装:30个/管。
以上信息摘自PDF文档,提供了器件的详细规格和应用指南。