NVH4L060N065SC1

物料型号：NVH4L060N065SC1 器件简介：650V，44mΩ，47A SiC N沟道功率MOSFET，具有超低门极电荷、低电容、100%雪崩测试、符合AEC-Q101标准。

引脚分配：S1（凯尔文源极）、S2（电源源极）、D（漏极）、G（栅极） 参数特性： - 漏源电压：650V - 栅源电压：-8V至+22V - 推荐栅源电压操作值：-5V至+18V - 连续漏极电流（25°C）：47A；（100°C）：33A - 功耗（25°C）：176W；（100°C）：88W - 脉冲漏极电流（25°C）：152A - 工作结温和存储温度范围：-55至+175°C - 源极电流（体二极管）：35A - 单脉冲漏源雪崩能量：51mJ - 最大焊接引脚温度：260°C 功能详解：适用于汽车板载充电器、汽车DC/DC转换器（用于EV/HEV） 封装信息：TO247-4L封装，30个/管。

以上信息摘自于onsemi官网提供的PDF数据手册。