NVS4409NT1G

厂商：
ONSEMI(安森美)
封装：
SOT-323
描述：

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NVS4409NT1G 数据手册

NTS4409N, NVS4409N MOSFET – Single, N-Channel, Small Signal, ESD Protection, SC-70/SOT-323 25 V, 0.75 A http://onsemi.com V(BR)DSS Features • • • • Advance Planar Technology for Fast Switching, Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery Life AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable − NVS4409N These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant RDS(on) Typ ID Max 249 mW @ 4.5 V 25 V 0.75 A 299 mW @ 2.7 V SC−70 (3−Leads) Applications • Boost and Buck Converter • Load Switch • Battery Protection Gate 1 3 Drain MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless otherwise noted) Rating Symbol Value Unit Drain−to−Source Voltage VDSS 25 V Gate−to−Source Voltage VGS "8.0 V TA = 25°C ID 0.75 A TA = 25°C ID 0.7 A Drain Current t

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NVS4409NT1G

物料型号：NTS4409N, NVS4409N

器件简介：这些是单N沟道小信号ESD保护MOSFET，采用先进的平面技术，具有快速开关、低RDS(on)特性，并通过AEC-Q101认证，符合PPAP要求，无铅且符合RoHS标准。

引脚分配：SC-70/SOT-323封装，引脚从源极到漏极再到栅极。

参数特性： - 最大额定值包括25V的漏极-源极电压，0.75A的漏极电流等。 - 热阻包括450°C/W的结至环境稳态热阻等。 - 电气特性包括25V的漏极-源极击穿电压，0.65V至1.5V的栅极阈值电压等。

功能详解：适用于升压和降压转换器、负载开关、电池保护等应用。

应用信息：这些MOSFET适用于需要快速开关和低导通电阻的应用，同时注重高效率和电池寿命延长。

封装信息：提供SC-70和SOT-323两种封装选项，每种封装都有3000/卷的卷带包装选项。

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