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NXV65HR82DS1

NXV65HR82DS1

  • 厂商:

    ONSEMI(安森美)

  • 封装:

    SSIP16_EP

  • 描述:

    功率驱动器模块 MOSFET H 桥 650 V 26 A 16-SSIP 노출형 패드,성형 리드

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
NXV65HR82DS1 数据手册
NXV65HR82DS1
### 物料型号 - NXV65HR82DS1 - NXV65HR82DS2 - NXV65HR82DZ1 - NXV65HR82DZ2

### 器件简介 这款H-Bridge功率模块适用于电动车辆(EV)或插电式混合动力电动车辆(PHEV)的车载充电器(OBC),提供5 kV/1 s电气隔离基板,有助于简化组装和提高整体热性能。

### 引脚分配 - AC1(Pin 1,2):H-Bridge的第一相腿 - Q1 Sense(Pin 3):Q1的源感测 - Q1 Gate(Pin 4):Q1的栅极终端 - B+(Pin 5,6):正电池终端 - B-(Pin 7,8):负电池终端 - Q2 Sense(Pin 9):Q2的源感测 - Q2 Gate(Pin 10):Q2的栅极终端 - Q4 Sense(Pin 11):Q4的源感测 - Q4 Gate(Pin 12):Q4的栅极终端 - Q3 Sense(Pin 13):Q3的源感测 - Q3 Gate(Pin 14):Q3的栅极终端 - AC2(Pin 15,16):H-Bridge的第二相腿

### 参数特性 - 漏源电压(Vps):650V - 栅源电压(VGs):+20V - 漏源连续电流(ID):26A(Tc = 25°C)和17A(Tc = 100°C) - 功率耗散(PD):126W - 最大结温(TJ):-55至+150°C - 最大壳体温度(Tc):-40至+125°C - 存储温度(TSTG):-40至+125°C

### 功能详解 这款模块具有电气隔离、低总模块电阻、模块序列化、无铅、RoHS和UL94V-0合规性等特点,符合汽车AEC Q101和AQG324指南。模块适用于DC-DC转换器,有助于设计小型、高效、可靠的系统,减少车辆燃料消耗和CO2排放。

### 应用信息 适用于电动车辆或插电式混合动力电动车辆的车载充电器DC-DC转换器。

### 封装信息 - NXV65HR82DS1和NXV65HR82DZ1:APM16-CAA Y形封装,有/无内部抑制电容器。 - NXV65HR82DS2和NXV65HR82DZ2:APM16-CAB L形封装,有/无内部抑制电容器。 - 所有型号均符合Pb-Free和RoHS合规性,工作温度范围为-40°C至125°C,采用管装包装方式。
NXV65HR82DS1 价格&库存

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NXV65HR82DS1
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