TIP31ATU

TIP31, TIP31A, TIP31B, TIP31C, (NPN), TIP32, TIP32A, TIP32B, TIP32C, (PNP) Complementary Silicon Plastic Power Transistors http://onsemi.com Designed for use in general purpose amplifier and switching applications. • Collector-Emitter Saturation Voltage - 3 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40-60-80-100 VOLTS 40 WATTS VCE(sat) = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc • Collector-Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) = 40 Vdc (Min) - TIP31, TIP32 = 60 Vdc (Min) - TIP31A, TIP32A = 80 Vdc (Min) - TIP31B, TIP32B = 100 Vdc (Min) - TIP31C, TIP32C • High Current Gain - Bandwidth Product fT = 3.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc MARKING DIAGRAM 4 • Compact TO-220 AB Package ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage TIP31, TIP32 TIP31A, TIP32A TIP31B, TIP32B TIP31C, TIP32C VCEO 40 60 80 100 Vdc VCB 40 60 80 100 Vdc VEB 5.0 Vdc IC 3.0 5.0 Adc Base Current IB 1.0 Adc Total Power Dissipation @ TC = 25
C Derate above 25
C PD 40 0.32 Watts W/
C Total Power Dissipation @ TA = 25
C Derate above 25
C PD 2.0 0.016 Watts W/
C Unclamped Inductive Load Energy (Note 1) E 32 mJ TJ, Tstg – 65 to + 150
C Collector-Base Voltage TIP31, TIP32 TIP31A, TIP32A TIP31B, TIP32B TIP31C, TIP32C Emitter-Base Voltage Collector Current Continuous Peak Operating and Storage Junction Temperature Range AYWW TIPxxx 1 2 3 STYLE 1: PIN 1. 2. 3. 4. BASE COLLECTOR EMITTER COLLECTOR TO-220AB CASE 221A-09 STYLE 1 xxx A Y WW = Specific Device Code: 31, 31A, 31B, 31C, 32, 32A, 32B, 32C = Assembly Location = Year = Work Week ORDERING INFORMATION See detailed ordering and shipping information in the package dimensions section on page 6 of this data sheet. 1. IC = 1.8 A, L = 20 mH, P.R.F. = 10 Hz, VCC = 10 V, RBE = 100 Ω..  Semiconductor Components Industries, LLC, 2003 January, 2003 - Rev. 8 1 Publication Order Number: TIP31A/D TIP31, TIP31A, TIP31B, TIP31C, (NPN), TIP32, TIP32A, TIP32B, TIP32C, (PNP) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Max Unit Thermal Resistance, Junction to Ambient RθJA 62.5
C/W Thermal Resistance, Junction to Case RθJC 3.125
C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25
C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min Max Unit VCEO(sus) 40 60 80 100 - Vdc ICEO - 0.3 mAdc - 0.3 - 200 200 200 200 IEBO - 1.0 mAdc hFE 25 10 50 - VCE(sat) - 1.2 Vdc VBE(on) - 1.8 Vdc fT 3.0 - MHz hfe 20 - - OFF CHARACTERISTICS Collector-Emitter Sustaining Voltage (Note 2) (IC = 30 mAdc, IB = 0) TIP31, TIP32 TIP31A, TIP32A TIP31B, TIP32B TIP31C, TIP32C Collector Cutoff Current (VCE = 30 Vdc, IB = 0) TIP31, TIP32, TIP31A, TIP32A Collector Cutoff Current (VCE = 60 Vdc, IB = 0) TIP31B, TIP31C, TIP32B, TIP32C Collector Cutoff Current (VCE = 40 Vdc, VEB = 0) (VCE = 60 Vdc, VEB = 0) (VCE = 80 Vdc, VEB = 0) (VCE = 100 Vdc, VEB = 0) µAdc ICES TIP31, TIP32 TIP31A, TIP32A TIP31B, TIP32B TIP31C, TIP32C Emitter Cutoff Current (VBE = 5.0 Vdc, IC = 0) ON CHARACTERISTICS (Note 2) DC Current Gain (IC = 1.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) DC Current Gain (IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) Collector-Emitter Saturation Voltage (IC = 3.0 Adc, IB = 375 mAdc) Base-Emitter On Voltage (IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) DYNAMIC CHARACTERISTICS Current-Gain - Bandwidth Product (IC = 500 mAdc, VCE = 10 Vdc, ftest = 1.0 MHz) Small-Signal Current Gain (IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) 2. Pulse Test: Pulse Width
300 µs, Duty Cycle
2.0%. http://onsemi.com 2 TIP31, TIP31A, TIP31B, TIP31C, (NPN), TIP32, TIP32A, TIP32B, TIP32C, (PNP) PD, POWER DISSIPATION (WATTS) TC TA 40 4.0 TC 30 3.0 20 2.0 TA 10 1.0 0 0 0 20 40 120 60 100 80 T, TEMPERATURE (°C) 140 160 Figure 1. Power Derating TURN-ON PULSE APPROX +11 V 2.0 RC IC/IB = 10 TJ = 25°C 1.0 SCOPE Vin Vin 0 RB t, TIME (
s) VEB(off) VCC t1 t3 APPROX +11 V Cjd