1. 物料型号:
- 系列编号:582
- 封装:5x 3.2 Ceramic SMD
- 描述:Clipped Sine Wave
- 最后修改日期:2007年1月1日
2. 器件简介:
- 该器件是一款温补晶振振荡器(Temperature Compensated Crystal Oscillator,简称TCXO),具有高稳定性输出,最大高度为1.35mm的低剖面VCTCXO,符合行业标准的5 x 3.2mm 4 Pad,且符合RoHs/无铅标准。
3. 引脚分配:
- #1:控制电压或无连接
- #2:外壳地
- #3:输出
- #4:Vdd(电源电压)
4. 参数特性:
- 输入电压(VDD):3.0±5%或2.8±5%,5.0±5% VDC
- 频率范围(fo):12.80, 13.00, 19.20, 19.6608, 19.68, 19.80, 26.00 MHz
- 工作温度(TOPR):-30 ~+85°C
- 存储温度(TSTG):-40 ~+120°C
- 频率容差:室温下+2.5最大值,单位PPM
- 温度稳定性:-30 ~+85°C下+2.5最大值,单位PPM
- 输入电压稳定性:VDD±5%下±0.3最大值,单位PPM
- 负载稳定性:RL±5%下0.2最大值,单位PPM
- 负载电容:10pF(典型值)
- 输入电流(lpp):最大2mA
- 老化:25°C下±1最大值,单位PPM/年
- 频率偏差:电压控制下±3.0最小值(±10典型值),单位PPM
- 控制电压范围:0.5 ~2.5 VDC或0.5~4.5 VDC
- 输出电压:Clipped Sine Wave,0.7 P-P最小值,1 P-P最小值,单位V
- 启动时间(Ts):最大4ms
- 谐波:2nd Harmonic -3最大值dBc,3rd Harmonic -6最大值dBc,其他-10最大值dBc
- 相位噪声:10 Hz偏移-80最大值dBc/Hz,100 Hz偏移-115最大值dBc/Hz,1KHz偏移-135最大值dBc/Hz,10 KHz偏移-140最大值dBc/Hz,100 KHz偏移-145最大值dBc/Hz
5. 功能详解:
- 该TCXO提供高稳定性的输出,适用于宽温度范围,具有低剖面设计,符合RoHs/无铅标准,适用于需要精确频率控制的应用。
6. 应用信息:
- 适用于需要精确频率控制的应用,如通信设备、测量设备等。
7. 封装信息:
- 封装尺寸:5x 3.2mm,表面贴装陶瓷封装。