LD242E7800

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 242 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Großer Öffnungskegel • Gehäusegleich mit BP 103, BPX 63, SFH 464, SFH 483 • Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQC Anwendungen • Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb • Sensorik • Lichtgitter Typ Type LD 242-2/3 LD 242 E7800 1) Features • • • • • Fabricated in a liquid phase epitaxy process Cathode is electrically connected to the case High reliability Wide beam Same package as BP 103, BPX 63, SFH 464, SFH 483 • DIN humidity caregory in acc. with DIN 40 040 GQG Applications • Photointerrupters • Sensor technology • Light curtains Bestellnummer Ordering Code Q62703Q4749 Q62703Q3509 Strahlstärkegruppierung 1) (IF = 100 mA, tp = 20 ms) Radiant Intensity Grouping 1) Ie (mW/sr) > 4.0 1 - 3.2 gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr 2007-12-07 1 LD 242 Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Durchlassstrom Forward current Stoßstrom, τ ≤ 10 µs, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA, tp = 20 ms Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax Spectral bandwidth at 50% of Imax IF = 100 mA, tp = 20 ms Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip surface to lens top Symbol Symbol λpeak Wert Value 950 Einheit Unit nm Symbol Symbol Wert Value – 40 … + 80 5 300 3 470 450 160 Einheit Unit °C V mA A mW K/W K/W Top; Tstg VR IF IFSM Ptot RthJA RthJC ∆λ 55 nm ϕ ± 40 0.25 0.5 × 0.5 0.3 … 0.7 Grad deg. mm 2 mm² mm A L×B L×W H 2007-12-07 2 LD 242 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics (cont’d) Bezeichnung Parameter Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90% auf 10%, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10% to 90% and from 90% to 10%, IF = 100 mA, RL = 50 Ω Kapazität Capacitance VR = 0 V Durchlassspannung Forward voltage IF = 100 mA IF = 1 A, tp = 100 µs Sperrstrom, VR = 5 V Reverse current Gesamtstrahlungsfluss Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 100 mA Temperature coefficient of λpeak, IF = 100 mA Symbol Symbol Wert Value 1 Einheit Unit µs tr , tf Co 40 pF VF VF IR Φe 1.3 (≤ 1.5) 1.9 (≤ 2.5) 0.01 (≤ 1) 16 V V µA mW TCI – 0.55 %/K TCV TCλ – 1.5 0.3 mV/K nm/K 2007-12-07 3 LD 242 Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Grouping of Radiant Intensity Ie in Axial Direction measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Parameter Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs 1) Symbol LD 242-2 Werte Values LD 242-3 LD 242 78001) Einheit Unit Ie Ie typ. 4…8 50 > 6.3 75 1 … 3.2 – mW/sr mW/sr Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser der Lochblende: 1,1 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 4,0 mm). Dadurch wird sichergestellt, dass bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken störend (z.B. Lichtschranken großer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses der Anwendung entsprechende Messverfahren ergibt sich für die Anwender eine besser verwertbare Größe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag „E 7800“, der an die Typenbezeichnung angehängt ist. An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle (diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4.0 mm). This ensures that solely the radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values. This aperture measurement is denoted by “E 7800” added to the type designation. 1) 2007-12-07 4 LD 242 Relative Spectral Emission Irel = f (λ) 100 % OHR01938 Radiant Intensity Ie = f (IF) Ie 100 mA OHR01037 Single pulse, tp = 20 µs Ιe 10 2 Max. Permissible Forward Current IF = f (TA) 300 OHR00971 Ι rel Ι e (100 mA) Ι F mA 250 R thJC = 160 K/W 80 10 1 60 200 150 40 R thJA = 450 K/W 10 0 20 100 50 10 -1 10 -2 0 880 920 960 1000 nm λ 1060 10 -1 10 0 A ΙF 10 1 0 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA , T C Forward Current IF = f (VE) 10 1 A OHR01040 Permissible Pulse Handling Capability IF = f (τ), TC = 25 °C, duty cycle D = parameter ΙF 10 4 mA 5 D= OHR01937 ΙF tP tP T ΙF T D= 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 10 0 typ. max. 10 3 5 0.2 0.5 10 -1 DC 10 -2 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 V 4.5 VF 10 2 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 s τ 10 0 Radiation Characteristics Irel = f (ϕ) 40 30 20 10 0 1.0 OHR01877 ϕ 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 90 0.2 0 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 2007-12-07 5 LD 242 Maßzeichnung Package Outlines 2.7 (0.106) ø0.45 (0.018) Chip position ø4.3 (0.169) ø4.1 (0.161) ( .1 1 1.1 (0 4 0.0 ( 3) 0.9 3 0.0 5) 2.54 (0.100) spacing 1 2 14.5 (0.571) 12.5 (0.492) 0.9 (0 .03 .04 5) 3) ø5.5 (0.217) ø5.2 (0.205) GETY6625 3.6 (0.142) 3.0 (0.118) Maße in mm (inch) / Dimensions in mm (inch). Gehäuse Package Anschlussbelegung pin configuration 18 A3 DIN 41876 (TO-18), klares Epoxy-Gießharz 18 A3 DIN 41876 (TO-18), transparent epoxy resin 1 = Anode/ anode 2 = Kathode/ cathode 2007-12-07 6 LD 242 Lötbedingungen Soldering Conditions Wellenlöten (TTW) TTW Soldering (nach CECC 00802) (acc. to CECC 00802) OHLY0598 300 C T 250 235 C ... 260 C 10 s Normalkurve standard curve 2. Welle 2. wave Grenzkurven limit curves 200 1. Welle 1. wave 150 100 C ... 130 C 100 2 K/s 50 Zwangskühlung forced cooling ca 200 K/s 5 K/s 2 K/s 0 0 50 100 150 t 200 s 250 Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Wernerwerkstrasse 2, D-93049 Regensburg www.osram-os.com © All Rights Reserved. The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you – get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components 1 , may only be used in life-support devices or systems 2 with the express written approval of OSRAM OS. 1 A critical component is a component usedin a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or effectiveness of that device or system. 2 Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user may be endangered. 2007-12-07 7