Q62702P3558

Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe 14 W Spitzenleistung Hybrid Pulsed Laser Diode with Integrated Driver Stage 14 W Peak Power Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SPL LL85 Besondere Merkmale • Kleines kostengünstiges Plastik-Gehäuse • Integriert sind ein FET und Kondensatoren zur Impulsansteuerung • InAlGaAs/GaAs kompressiv verspannte Quantenfilmstruktur • Hochleistungslaser mit „Large-Optical-Cavity“ (LOC) Struktur • Laserapertur 200 µm x 2 µm • Schneller Betrieb (< 30 ns Impulsbreite) • Niedrige Versorgungsspannung (< 9 V) Anwendungen • • • • Entfernungsmessung Sicherheit, Überwachung Beleuchtung, Zündung Test- und Messsysteme Features • • • • • • • Low cost, small size plastic package Integrated FET and capacitors for pulse control Strained InAlGaAs/GaAs QW-structures High power large-optical-cavity laser structure Laser aperture 200 µm x 2 µm High-speed operation (< 30 ns pulse width) Low supply voltage (< 9 V) Applications • • • • Range finding Security, surveillance Illumination, ignition Testing and measurement Safety advices Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC 60825-1 “Safety of laser products”. Sicherheitshinweise Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare InfrarotStrahlung, die gefährlich für das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Norm 60825-1 behandelt werden. Typ Type SPL LL85 Opt. Spitzenausgangsleistung Opt. Peak Power 14 W Wellenlänge Wavelength 850 nm Bestellnummer Ordering Code Q62702P3558 2006-04-12 1 LASER COMPONENTS IG, Inc., 9 River Road, Hudson, NH 03051 - USA, Phone: +1 603 821 7040, Fax: +1 603 821 7041, info@laser-components.com SPL LL85 Grenzwerte (kurzzeitiger Betrieb) (TA = 25 °C) Maximum Ratings (short time operation) Parameter Parameter Spitzenausgangsleistung Peak output power Ladespannung (VG = 15 V) Charge voltage (VG = 15 V) Gate-Spannung Gate voltage Tastverhältnis Duty cycle Betriebstemperatur Operating temperature Lagertemperatur Storage temperature Löttemperatur (tmax = 10 s) Soldering temperature (tmax = 10 s) Symbol Symbol min. Werte Values max. 18 9 – 20 – - 40 - 40 – + 20 0.1 + 85 + 100 + 260 W V V % °C °C °C – Einheit Unit Popt VC VG d.c. Top Tstg Ts 2006-04-12 2 LASER COMPONENTS IG, Inc., 9 River Road, Hudson, NH 03051 - USA, Phone: +1 603 821 7040, Fax: +1 603 821 7041, info@laser-components.com SPL LL85 Optische Kennwerte (TA = 25 °C) Optical Characteristics Parameter Parameter Zentrale Emissionswellenlänge1) Emission wavelength1) Spektralbreite (Halbwertsbreite)1) Spectral width (FWHM)1) Spitzenausgangsleistung1) Peak output power1) Ladespannung an der Laserschwelle Charge Voltage at laser threshold Pulsbreite (Halbwertsbreite)1), 2) Pulse width (FWHM)1), 2) Anstiegs- und Abfallzeit (10% … 90%)1), 2) Rise and fall time (10% … 90%)1), 2) Austrittsöffnung Aperture size Symbol Symbol min. λ ∆λ 840 – 12 1.2 25 7.0 26 – 12 Werte Values typ. 850 4 14 1.5 28 9.5 29 200 × 2 15 max. 860 9 18 2.0 31 12.0 32 – 18 nm nm W V ns ns ns µ m2 Grad deg. Grad deg. Einheit Unit Popt UC, th tp tr , tf w×h Strahldivergenz (Halbwertsbreite) parallel zum θ|| 1) pn-Übergang Beam divergence (FWHM) parallel to pn junction1) Strahldivergenz (Halbwertsbreite) senkrecht zum pn-Übergang1) Beam divergence (FWHM) perpendicular to pn-junction1) Temperaturkoeffizient der Wellenlänge Temperature coefficient of wavelength Thermischer Widerstand Thermal resistance Einschaltpunkt der Gate-Spannung Switch on gate voltage 1) θ⊥ 27 30 33 ∂λ / ∂T – – – 0.25 200 4.5 0.32 – – nm/K K/W V Rth VG on 2) Werte beziehen sich auf folgende Standardbetriebsbedingung: >40ns Trigger-Pulsbreite, 1kHz Pulswiederholrate, 6.7V Ladespannung, 15V Gate-Spannung und 25°C Umgebungstemperatur. Der Laser wird angesteuert mit dem MOSFET-Treiber Elantec EL7104C. Values refer to the following standard operating conditions: >40ns trigger pulse width, 1kHz pulse repetition rate, 6.7V charge voltage, 15V gate voltage and 25 °C ambient temperature. The laser is driven by the MOSFET driver Elantec EL7104C. Die Schaltgeschwindigkeit ist abhängig von Strom und Geschwindigkeit, mit der die Gate-Kapazität (typ. 300pF) des internen Transistors geladen wird. Kürzere Pulsbreiten, Anstiegs- und Abfallzeiten erhält man bei Trigger-Pulsbreiten