Passiv gekühlter SIRILAS® Diodenlaser 15 W cw bei 975nm Conductively cooled SIRILAS® Laser Diode Array 15 W cw at 975nm Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SPL LG98-P
Vorläufiges Datenblatt / Preliminary data sheet
Besondere Merkmale • Kostengünstige Strahlquelle für Dauerstrichund Pulsbetrieb • Zuverlässiges InGaAs/GaAs kompressiv verspanntes Halbleiter-Material • Montage des Laserchips auf ausdehnungsangepasste Wärmesenke • Kompaktes, den Laser schützendes Gehäuse • Strahlabmessungen am optischen Austritt (Fenster) 7,0 mm x 0,3 mm • Verringerte vertikale Strahldivergenz durch Verwendung einer internen Linse Anwendungen • • • • • Pumpen von Festkörperlasern Direkte Materialbearbeitung Medizinische Anwendungen Erwärmen, Beleuchten Druckanwendungen Features • Efficient radiation source for cw and pulsed operation • Reliable InGa(Al)As strained quantum-well material • Mounting of laser bar on expansion matched submount • Compact package protecting the laser bar • Beam dimensions at optical port (window) 7,0 mm x 0,3 mm • Reduced fast axis divergence by use of internal lens Applications • Pumping solid state lasers (rod, fiber and disk lasers) • Direct material processing • Medical • Heating, Illumination • Printing Safety Advices Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC 60825-1 “Safety of laser products”.
Sicherheitshinweise Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare InfrarotStrahlung, die gefährlich für das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Norm 60825-1 behandelt werden
2007-04-19
1
SPL LG98-P
Typ Type SPL LG98-P
1)
Wellenlänge1) Wavelength1) 975 nm
Bestellnummer Ordering Code Q65110A5576
Andere Wellenlängen sind auf Anfrage erhältlich. Other wavelengths are available on request.
Grenzwerte (25 °C heat sink temperature) Maximum Ratings Parameter Parameter Ausgangsleistung Output power1)
1)
Symbol Symbol min.
Werte Values max. 20 50 – –
Einheit Unit W W
Popt
Spitzen-Ausgangsleistung (quasi-continous Pqcw wave, tp ≤ 200 µs, duty cycle ≤ 20%)1) Peak output power(quasi-continous wave, tp ≤ 200 µs, duty cycle ≤ 20%)1) Betriebstemperatur2)1) Operating temperature2)1) Lagertemperatur2)1) Storage temperature2)1) Löttemperatur (tmax = 10 s) Soldering temperature (tmax = 10 s)
1)
Top Tstg Ts
+ 10 - 40 –
+ 50 + 85 + 260
°C °C °C
Kurzzeitiger Betrieb. Der Betrieb bei den Grenzwerten beeinflußt die Lebensdauer. Short time operation. The operation at the maximum ratings influences the lifetime.
2)
Betauung des Moduls muss ausgeschlossen werden. Bedewing of the module has to be excluded.
2007-04-19
2
SPL LG98-P
Dioden Kennwerte (25 °C heat sink temperature) Diode Characteristics Parameter Parameter Zentrale Emissionswellenlänge1) 2) Emission wavelength1) 2) Spektrale Breite (Halbwertsbreite)1) 2) Spectral width (FWHM)1) 2) Ausgangsleistung im Betriebspunkt1) Output power at operating point1) Differentielle Effizienz Differential efficiency Schwellstrom Threshold current Betriebsstrom1) Operating current1) Betriebsspannung1) 3) Operating voltage1) 3) Differentieller Serienwiderstand Differential series resistance Konversionseffizienz (elektrisch zu optisch)1) Conversion efficiency (electrical to optical)1) Charakteristische Temperatur (Schwelle)4) Characteristic temperature (threshold)4) Temperaturkoeffizient des Betriebsstroms Temperature coefficient of operating current Temperaturkoeffizient der Wellenlänge Temperature coefficient of wavelength Thermischer Widerstand (pn-Übergang → Wärmesenke) Thermal resistance (junction → heat sink) Wärmesenkentemperatur5) Heat sink temperature5) Strahldivergenz fast-axis (Vollwinkel 1/e2) Beam divergence fast axis (full angle, 1/e2) Strahldivergenz slow-axis (Vollwinkel 1/e2) Beam divergence slow axis (full angle, 1/e2)
2007-04-19 3
Symbol Symbol min. λpeak ∆λ 970 – – – – – – – –
Werte Values typ. 975 3.0 15 1.05 6 21 1.45 5 50 max. 980 – – – – – 1.60 – –
Einheit Unit nm nm W W/A A A V mΩ %
Pop
ηd
Ith Iop Vop Rs
η con
T0
–
150 0.5 0.3 1.3
– – – –
K %/K nm/K K/W
∂Iop / Iop∂T – ∂λ/∂T – –
Rth JA
Tfluid
θ⊥ θ||
+ 10 – –
+ 20 1.4 6
+ 30 – –
°C Grad deg. Grad deg.
SPL LG98-P
Dioden Kennwerte (25 °C heat sink temperature) Diode Characteristics (cont’d) Parameter Parameter Strahlabmessungen am optischen Austritt Beam dimensions at optical output TE Polarisation TE Polarization
1)
Symbol Symbol min.
Werte Values typ. 7.0 × 0.3 90 max. – – – –
Einheit Unit mm2 %
w×h PTE
Werte beziehen sich auf die Standardbetriebsbedingung 15W Ausgangsleistung, 25 °C Wärmesenkentemperatur. Values refer to standard operating conditions of 15W output power, 25 °C heat sink temperature. Die zentrale Emissionswellenlänge muss beim spezifizierten Strom kontrolliert werden. Liegt die Wellenlänge höher als im Testprotokoll spezifiziert, so weist dies auf einen schlechten thermischen Kontakt und eine thermische Überbelastung der Laserdiode hin. Bevor der Laserbetrieb weitergeführt wird, muss der thermische Kontakt verbessert werden. Die zentrale Emissionswellenlänge schiebt mit 0,3 nm/K. Check the emission wavelength at the specified current. A much longer wavelength than specified in the test protocol indicates bad thermal contact and thermal overload of the diode laser. Then the thermal contact has to be improved before continuing laser operation. The emission wavelength shifts with 0.3 nm/K. Das Anlegen einer Spannung in Sperrrichtung der Laserdiode muss ausgeschlossen werden. Reverse voltage applied to the laser diode has to be excluded. Modell zur Bestimmung des thermischen Verhaltens bzgl. des Schwellstroms: Model for the thermal behavior of threshold current: Ith(T2) = Ith(T1) × exp (T2 – T1)/T0 Wärmesenkentemperatur beeinflusst die Ausgangsleistung, die zentrale Emissionswellenlänge und die Lebensdauer. Betauung muss ausgeschlossen werden. Heat sink temperature influences output power, emission wavelength and lifetime. Condensation has to be excluded.
2)
3)
4)
5)
2007-04-19
4
SPL LG98-P
Ligth-current and voltage-current curves (cw, 20 °C)
2.0 V 1.6
OHW02730
Optical spectrum, relative intensity Irel vs. wavelength λ (15 W cw, 20 °C)
1.00
OHL01665
V
25 W 20
Pout
I rel
%
0.75
1.2 15
0.50
0.8 10
0.25
0.4 5
0
0
10
20
0 A 30
0
940
960
980
1000 nm 1020
I
λ
2007-04-19
5
SPL LG98-P
Maßzeichnung Package Outlines
10 (0.394) 4.45 (0.175) 8.5 (0.335)
10.14 (0.399)
0.75 (0.030) 1.05 (0.041) 2.54 (0.100) 2.54 (0.100)
0.5 (0.020) 2.4 (0.094) Optical Output Port
23.6 (0.929) ±0.3 (0.012)
4.7 (0.185)
1.5 (0.059)
1.3 (0.051)
7.7 (0.303)
GEOY7015
Maße in mm (inch) / Dimensions in mm (inch). Notes: Der optische Strahlaustritt liegt 1.5 mm über der Unterseite der Gehäusegrundplatte. Exit height of optical output beam is 1.5 mm referring to bottom side of package base plate. Gehäusegrundplatte ist auf Anodenpotential. Package base plate is on anode potential.
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1.3 (0.051)
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