物料型号：
- Panasonic 2SJ364
器件简介：
- 该器件是一款适用于模拟开关的P沟道结型场效应管（Silicon P-Channel Junction FET），具有低导通电阻和低噪声特性。
引脚分配：
- 1: 源极（Source）
- 2: 漏极（Drain）
- 3: 栅极（Gate）
- 封装类型为S-Mini Type Package（3-pin）
参数特性：
- 栅极到漏极电压（VGDS）：65V
- 漏极电流（Ip）：-20mA
- 栅极电流（IG）：-10mA
- 允许耗散功率（PD）：150mW
- 沟道温度（Tch）：150°C
- 存储温度（Tslg）：-55至+150°C
功能详解：
- 该器件在截止状态下，漏源之间的电流（Ipss）最小值为0.2mA，最大值为-6mA。
- 栅源之间的漏电流（IGss）在30V时最大值为10nA。
- 栅漏电压（VGDS）在10mA时为65V。
- 栅源截止电压（VGsc）在-10V时范围为1.5V至3.5V。
- 正向传输导纳（Y）在1kHz时范围为1.8至2.5mS。
- 漏源导通电阻（RDS(on)）在-10mV时范围为300Ω。
- 输入电容（Ciss）在1MHz时范围为12pF。
- 反向传输电容（Crss）为4pF。
应用信息：
- 适用于模拟开关。
封装信息：
- 采用S-Mini Type Package（3-pin）封装，标记符号示例为4M。
