1. 物料型号:
- 1N5221B~1N5267B,这些是硅齐纳二极管的型号,电压范围从2.4到75伏特,功率为500毫瓦,封装为DO-35。
2. 器件简介:
- 这些器件采用平面芯片结构,具有500mW的功率耗散,非常适合自动化装配流程,并且是无铅产品,符合RoHS环保指令要求。
3. 引脚分配:
- 引脚可焊性符合MIL-STD-750标准,方法2026,极性见下图。
4. 参数特性:
- 最大耗散功率:500mW
- 结温:175℃
- 存储温度范围:-65至+175℃
- 热阻(结到环境空气):最小值为0.3 K/mW
- 正向电压在200mA时:最小值为1.1V
5. 功能详解:
- 这些齐纳二极管具有不同的额定稳压值,从2.4V到75V不等,具体型号和参数见下表。
6. 应用信息:
- 这些器件适用于需要稳定电压的各种应用场合。
7. 封装信息:
- 封装类型为Molded Glass DO-35,重量约为0.13克,可任意位置安装,订购信息为在型号后加“-35”以订购DO-35封装,包装信息为B型2K每散装盒,T/R型10K每13英寸塑料卷,T/B型5K每水平胶带和弹药盒。