1. 物料型号:
- 系列名称:BZT52-B2V4系列
- 器件类型:表面贴装硅齐纳二极管(Surface Mount Silicon Zener Diodes)
2. 器件简介:
- 该系列二极管采用平面芯片结构,具有410毫瓦的功率耗散能力,齐纳电压范围从2.4V至75V,非常适合自动化装配流程,并且符合欧盟RoHS 2002/95/EC指令。
3. 引脚分配:
- 封装类型:SOD-123,塑封
- 极性:详见下图(文档中提供了极性图)
4. 参数特性:
- 最大功率耗散(25°C时):410mW
- 工作结与存储温度范围:-55至+150℃
5. 功能详解:
- 该系列二极管主要用于电压稳定和过压保护,具有稳定的齐纳电压和低漏电流特性。
6. 应用信息:
- 由于其小尺寸和高功率耗散能力,BZT52-B2V4系列适用于需要电压钳位和保护的电路,如电源、信号处理和接口保护。
7. 封装信息:
- 封装类型:SOD-123,塑封
- 重量:约0.01克
- 安装位置:任意位置