物料型号:BZT52-C2V4至BZT52-C75,代表不同的齐纳电压等级。
器件简介:
- 这些是表面安装的硅齐纳二极管,具有不同的额定电压从2.4V至75V。
- 它们具有平面芯片结构,能够承受410mW的功率耗散。
- 适合自动化装配流程,并且符合欧盟RoHS 2.0的无铅标准。
引脚分配:文档中提供了SOD-123封装的尺寸和极性图。
参数特性:
- 最大功率耗散:410mW。
- 典型热阻:510°C/W。
- 工作结温和存储温度范围:-55至+150摄氏度。
功能详解:文档提供了功率耗散曲线、典型结电容、典型齐纳击穿特性等图表。
应用信息:文档中没有明确提供应用信息,但通常齐纳二极管用于电路中过压保护。
封装信息:封装类型为SOD-123,塑封材料。
订购信息:提供了不同包装类型的信息,如13英寸塑料卷、7英寸塑料卷等。
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