物料型号:BZT52-C2V4~BZT52-C75系列,这些是表面安装硅齐纳二极管。
器件简介:
- 采用平面芯片结构。
- 最大耗散功率为410毫瓦。
- 齐纳电压范围从2.4伏到75伏。
- 适合自动化装配过程。
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅。
- 绿色模塑化合物,符合IEC 61249标准。
引脚分配:
- 封装类型为SOD-123,模塑塑料。
- 引脚可焊性符合MIL-STD-750标准,方法2026。
- 极性见下面的图示。
参数特性:
- 最大耗散功率(在25°C时)为410毫瓦。
- 典型热阻为510°C/W。
- 工作结温和储存温度范围为-55至+150摄氏度。
功能详解:
- 包括功率耗散、热阻、结温和储存温度范围等参数。
- 提供了不同型号的齐纳电压、最大齐纳阻抗、最大反向漏电流等电气特性。
应用信息:
- 适用于需要稳定电压的电路中,如保护电路免受电压峰值影响。
封装信息:
- 封装类型为SOD-123,尺寸信息包括长度、宽度和高度。
- 提供了封装的机械数据,如重量和引脚可焊性。