MMBZ5259BV_R1_00001

物料型号：MMBZ5221BV至MMBZ5262BV

器件简介： - 这些是表面安装的硅齐纳二极管，具有平面芯片结构。 - 它们具有200毫瓦的功率耗散能力。 - 齐纳电压范围从2.4V至75V。 - 适合自动化装配流程。 - 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅要求。 - 使用符合IEC61249标准的绿色模塑化合物（无卤素）。

引脚分配： - 采用SOD-523塑料封装，引脚可按照MIL-STD-750标准方法2026进行焊接。

参数特性： - 最大功率耗散在25°C时为200毫瓦。 - 工作结温范围为-55℃至+150℃。

功能详解： - 提供了详细的电气特性表，包括每个型号的齐纳电压、最大齐纳阻抗、最大反向漏电流等参数。 - 还包括了功率耗散、温度系数、漏电流和正向电压的典型图表。

应用信息： - 这些二极管适用于需要电压稳定和过压保护的应用。

封装信息： - 标准封装为8毫米胶带。 - 每个二极管的重量约为0.00005盎司或0.0014克。

订购信息： - 提供了不同包装类型的信息，包括每卷的数量和卷径尺寸。

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