物料型号：PJA3404
器件简介：30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET，采用先进的沟道工艺技术，特别适用于开关负载、PWM应用等。
引脚分配：SOT-23封装，引脚1为源极(S)，引脚2为门极(G)，引脚3为漏极(D)。
参数特性：
- 漏源电压(Vos)：30V
- 栅源电压(VGs)：+20V
- 连续漏电流(ID)：5.6A
- 脉冲漏电流(IoM)：22A
- 功率耗散(Po)：1.25W
- 工作结温和存储温度范围(TJ,TSTG)：-55~150°C
- 典型热阻(ReJA)：100°C/W
功能详解：
- 静态特性：包括漏源击穿电压、栅极阈值电压、漏源导通电阻等。
- 动态特性：包括总栅极电荷、输入电容、输出电容、反向传输电容、开关特性等。
- 漏源二极管特性：包括最大连续漏源二极管正向电流、二极管正向电压等。
应用信息：符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅要求，采用IEC61249标准的绿色封装材料（无卤素）。
封装信息：SOT-23封装，3K pcs /7" reel包装，标记为A04。
