PJA3415AE_R1_00001

1. 物料型号： - PJA3415AE

2. 器件简介： - PJA3415AE是一款20V P沟道增强型MOSFET，具有ESD保护功能。它采用先进的沟槽工艺技术，特别适用于开关负载、PWM应用等场景，并具有2KV HBM的ESD保护功能。产品符合欧盟RoHS 2.0标准和IEC 61249标准的绿色模塑化合物要求。

3. 引脚分配： - 封装形式为SOT-23，引脚可焊性符合MIL-STD-750标准，方法2026。

4. 参数特性： - 最大漏源电压(VDS)：-20V - 栅源电压(VGS)：+8V - 连续漏电流(ID)：-4.3A - 脉冲漏电流(IDM)：-17.2A - 功率耗散(PD)：在25°C时为1.25W，随温度升高每增加10mW/°C - 工作结温和存储温度范围(TJ,TSTG)：-55~150°C - 典型热阻(Junction到环境)：RθJA 100°C/W

5. 功能详解： - 包括静态和动态电气特性，如漏源击穿电压、栅阈值电压、漏源导通电阻、零栅压漏电流、栅源漏电流等。 - 动态特性包括总栅电荷、栅源电荷、栅漏电荷、输入电容、输出电容和反向传输电容。 - 还包括开通延迟时间、开通上升时间、关断延迟时间和关断下降时间。

6. 应用信息： - 适用于需要高可靠性或与人生命相关的设备，如医疗仪器、交通设备、航空航天机械等。客户使用或销售这些产品用于此类应用时，需自担风险，并同意为因不当使用或销售导致的任何损害对PANJIT SEMI CONDUCTOR进行全额赔偿。

7. 封装信息： - 封装类型为SOT-23，包装类型为3K pcs / 7" reel，标记为A5AE。