PJA3433_R1_00001

物料型号： - PJA3433

器件简介： - PJA3433是一款30V P沟道增强型MOSFET，具有ESD保护，电压-30V，电流-1.1A。该器件采用先进的沟槽工艺技术，特别适用于开关负载、PWM应用等场景，并且具有2KV HBM的ESD保护功能，符合欧盟RoHS 2.0标准和IEC 61249标准的绿色封装材料。

引脚分配： - 封装类型为SOT-23，引脚可焊性符合MIL-STD-750标准，方法2026。

参数特性： - 最大额定值和热特性（Ta=25°C，除非另有说明） - 漏源电压(VDs)：-30V - 栅源电压(VGS)：+8V - 连续漏电流(io)：-1.1A - 脉冲漏电流(IoM)：-4.4A - 功率耗散(Po)：1.25W，超过25°C时每10°C降低10mW - 工作结温和存储温度范围(TJ,TSTG)：-55~150°C - 典型热阻(ReJA)：100°C/W

功能详解： - 静态特性包括漏源击穿电压、栅阈值电压、漏源导通电阻等。 - 动态特性包括总栅电荷、栅源电荷、栅漏电荷、输入电容、输出电容和反向传输电容。 - 漏源二极管特性包括最大连续漏源二极管正向电流和二极管正向电压。

应用信息： - 该器件适用于需要高可靠性或与人的生命相关的应用，如医疗设备、交通设备、航空航天机械等。客户使用或销售这些产品用于此类应用时，需自行承担风险，并同意为因不当使用或销售导致的任何损害对Panjit International Inc.进行全额赔偿。

封装信息： - 型号：PJA3433 - 封装类型：SOT-23 - 包装类型：3K pcs / 7" reel - 标记：A33