PJD13N10A_L2_00001

数据手册：

PJD13N10A_L2_00001 数据手册

PPJD13N10A 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Voltage 100 V Current 13A Features       RDS(ON) , VGS@10V, ID@6.5A

PJD13N10A_L2_00001

物料型号为PJD13N10A，是一款100V N-Channel增强型MOSFET。

器件简介包括低导通电阻和高密度单元设计，无铅且符合EU RoHS 2011/65/EU指令，使用IEC61249标准下的绿色封装化合物（无卤素）。

引脚分配为①为漏极，③为栅极，⑤为源极。

参数特性包括100V漏源电压、最大20V栅源电压、13A连续漏极电流等。

功能详解涉及其在不同电压和温度下的导通电阻、阈值电压、漏源导通电阻等。

应用信息未在文档中明确给出，但根据其参数，可推断适用于需要低导通电阻和高电流容量的应用。

封装信息为TO-252AA，重量约为0.0104盎司或0.297克。

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库存：3079

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