PJD14P06A-AU_L2_000A1

物料型号：PJD14P06A-AU

器件简介： - 这是一款60V P-Channel增强型MOSFET，具有高开关速度、改进的dv/dt能力、低门极电荷和低反向传输电容。 - 符合AEC-Q101标准，无铅，符合欧盟RoHS 2.0指令，采用IEC 61249标准的绿色封装材料。

引脚分配： - 封装类型为TO-252AA，引脚包括漏极(Drain)、门极(Gate)和源极(Source)。

参数特性： - 最大漏源电压(Vps)为-60V。 - 栅源电压(VGs)最大为+20V。 - 连续漏电流(lo)在25°C时为-14A，在100°C时为-9A。 - 脉冲漏电流(IoM)在25°C时为-42A。 - 功率耗散(Po)在25°C时为40W，在100°C时为16W。 - 工作结温和存储温度范围为-55℃至150℃。

功能详解： - 包括静态特性如漏源击穿电压(BVpss)、栅阈值电压(Vos)、漏源导通电阻(Ros(on))等。 - 动态特性包括总门极电荷(Q)、输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)和反向传输电容(Crss)。 - 还包括导通延迟时间(td(on))、导通上升时间(t)、关断延迟时间(td(off))和关断下降时间(lf)。

应用信息： - 该MOSFET适用于需要高开关速度和低导通电阻的应用。

封装信息： - 封装类型为TO-252AA，每盘3000个，符合无卤素要求。

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