PJW2P10A_R2_00001

物料型号：PJW2P10A

器件简介：PJW2P10A 是一款100V P-Channel增强型MOSFET，具有高开关速度、改进的dv/dt能力、低栅极电荷和低反向传输电容等特点。

符合欧盟RoHS 2.0无铅标准，采用绿色模塑化合物，符合IEC 61249标准。

引脚分配：SOT-223封装，引脚包括漏极（Drain）、栅极（Gate）和源极（Source）。

参数特性： - 漏源电压（Vos）：-100V - 栅源电压（VGs）：+20V - 连续漏源电流（Id）：在25°C时为-1.5A，在70°C时为-1.2A - 脉冲漏源电流（IoM）：-6A（脉冲宽度<300us，占空比<2%） - 功率耗散（Pd）：在25°C时为3.1W，在70°C时为2W - 单脉冲雪崩能量（EAS）：0.2mJ - 工作结温和存储温度范围（TJ,TSTG）：-55~150°C - 典型热阻（ReJA）：40.3°C/W

功能详解： - 该器件具有低RDS(ON)，即在特定的VGS和ID条件下，漏源导通电阻很低，有利于减少功率损耗。

- 具有高的dv/dt能力，可以快速开关而不易损坏。

- 栅极电荷和反向传输电容低，有助于减少开关损耗和电磁干扰。

应用信息：适用于需要高开关速度和低导通电阻的应用，如开关电源、马达控制、负载开关等。

封装信息：采用SOT-223封装，尺寸和安装垫布局已在数据手册中提供。

每个包装类型为2,500pcs / 13"卷轴装，标记为W2P10A，为无卤素版本。