PSMB032N08NS1_R2_00601

物料型号：PSMB032N08NS1

器件简介：这是一个80V N-Channel增强型MOSFET，具有低导通电阻和高电流承载能力。

引脚分配：该器件采用TO-263封装，引脚从左到右依次为漏极(Drain)、栅极(Gate)、源极(Source)。

参数特性： - 漏源电压(VDs)最大80V - 栅源电压(VGS)最大+20V - 连续漏电流(lp)在25°C时为161A，100°C时为102A - 脉冲漏电流(IDM)在25°C时为480A - 单脉冲雪崩电流(IAS)为38A - 单脉冲雪崩能量(EAS)为722mJ - 功耗(Po)在25°C时为156W，100°C时为62.5W - 工作结温和存储温度范围为-55~150°C

功能详解： - 该MOSFET具有最大导通电阻RDS(ON)在特定条件下小于3.4mΩ和5mΩ - 100%经过雪崩测试和栅极电阻测试 - 符合欧盟RoHS 2.0的无铅标准 - 采用符合IEC 61249标准的绿色封装材料

应用信息：适用于电池管理系统(BMS)、无刷直流电机(BLDC)、软开关电源(SMPS SR)等。

封装信息：采用TO-263封装，每管50个，每卷800个，标记为032N08NS。