RB411D

厂商：
PANJIT(强茂)
封装：
描述：
RB411D - Schottky Barrier Diode - Pan Jit International Inc.

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RB411D 数据手册

RB411D Schottky Barrier Diode VOLTAGE 40Volts POWER 500mA FEATURES ‡ igh Reliability H Low Reverse Current Ultra High-speed Switching MECHANICAL DATA Case : SOT-23, Plastic Terminals : Solderable per MIL-STD-202G, Method 208 Approx. Weight : 0.08 gram Marking : 11D ABSOLUTE RATINGS (TA=25 Parameter Reverse Voltage Average Rectified Forward Current Forward Current Surge Peak (t=8.3ms) Junction Temperature Storage Temperature ) Symbol VRM IO IFSM TJ TSTG Value 40 500 3 125 -40 to +125 Units V mA A : : 8/02/2006 Page 1 www.panjit.com RB411D ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25 Parameter Symbol Min. Forward Voltage VF Reverse Current Junction Capacitance IR CJ 16 0.3 30 V uA pF IF= 10mA VR= 10V VR= 10V, f=1MHz Typ. Max. 0.5 ) Units V Conditions IF= 500mA 8/02/2006 Page 2 www.panjit.com RB411D ELECTRICAL CHARACTERISTICS CURVE Fig. 1. Typical Forward Voltage Fig. 2. Typical Reverse Current Fig. 3. Typical Operating Temperature Derating 8/02/2006 Page 3 www.panjit.com RB411D MOUNTING PAD LAYOUT LEGAL STATEMENT 8/02/2006 Page 4 www.panjit.com

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RB411D

1. 物料型号： - RB411D

2. 器件简介： - RB411D是一个肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），具有高可靠性、低反向电流和超高速开关特性。

3. 引脚分配： - 该型号采用SOT-23封装，具有可焊性端子，符合MIL-STD-202G标准。

4. 参数特性： - 反向电压（VRM）：40V - 平均整流前向电流（Io）：500mA - 前向电流浪涌峰值（IFSM）：3A（持续时间8.3ms） - 结温（TJ）：125°C - 存储温度（TSTG）：-40至+125°C

5. 功能详解： - 电气特性包括： - 前向电压（VF）：在500mA时为0.5V，在10mA时为0.3V - 反向电流（IR）：在10V时为30μA - 结电容（CJ）：在10V和1MHz时为16pF

6. 应用信息： - 该器件适用于需要高可靠性和超高速开关的应用场合，如电源管理、信号处理等。

7. 封装信息： - 封装类型：SOT-23，塑料封装 - 近似重量：0.08克 - 标记：11D

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