TB2S

TB2S

  • 厂商:

    PANJIT(强茂)

  • 封装:

  • 描述:

    TB2S - MICRO SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER - Pan Jit International In...

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TB2S 数据手册
TB1S~TB10S MICRO SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER VOLTAGE 100~1000 Volts CURRENT 1.0 Ampers TDI(MICRO DIP) Unit : inch(mm) Recongnized File #E139973 FEATURES • Glass passivated chip junciton 0.179(4.55) 0.167(4.25) 0.028(0.7) 0.023(0.6) • Save space on printed circuit boards • Body Thick Very Thin
TB2S
1. 物料型号: - TB1S~TB10S

2. 器件简介: - 该器件为微型表面贴装玻璃钝化单相整流桥,电压范围100~1000伏特,电流1.0安培。具有玻璃钝化芯片结构,适合自动装配,节省印刷电路板上的空间,体厚非常薄<1.5mm,低正向电压降,承受30A峰值的浪涌过载,符合欧盟RoHS 2002/95/EC指令,塑料材料UL可燃性等级94V-0。

3. 引脚分配: - 极性按照封装上的标记。

4. 参数特性: - 最大重复峰值反向电压(VRRM):100~1000伏特 - 最大RMS电压(VPMS):70~700伏特 - 最大直流阻断电压(Voc):100~1000伏特 - 平均整流正向电流(Io):在60Hz正弦波、R-负载、TA=25°C条件下,FR-4印刷电路板上为1.0A - 正向浪涌电流(IFSM):在60Hz正弦波、非重复1周期峰值、TJ=25°C条件下为30A - 12t熔断额定值(12t):3.735A S - 工作结温(TJ):150°C - 存储温度(TSTG):-55 to +150°C

5. 功能详解: - 正向电压:在IF=1A、脉冲测量、每个二极管的额定值条件下为1.1V - 反向电流(IR):在VRRM、脉冲测量、每个二极管的额定值条件下为10μA - 典型结电容(C):在VR=4V、f=1MHz条件下为10pF - 热阻(RaJc):结到外壳为70°C/W - RaJa:结到环境,在FR-4印刷电路板上为95°C/W

6. 应用信息: - 该器件适合用于需要高电压、大电流整流的应用场合,如电源、电机驱动等。

7. 封装信息: - 封装类型为TDI塑料封装,焊盘可焊性符合MIL-STD-750, Method 2026标准。

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