0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心
发布
  • 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
PE42510A

PE42510A

  • 厂商:

    PEREGRINE(游隼半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    PE42510A - SPDT High Power UltraCMOS RF Switch 30-2000 MHz - Peregrine Semiconductor Corp.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
PE42510A 数据手册
Product Specification PE42510A Product Description The following specification defines an SPDT (single pole double throw) switch for use in cellular and other wireless applications. The PE42510A uses Peregrine’s UltraCMOS™ process and it also features HaRP™ technology enhancements to deliver high linearity and exceptional harmonics performance. HaRP™ technology is an innovative feature of the UltraCMOS™ process providing upgraded linearity performance. The PE42510A is manufactured on Peregrine’s UltraCMOS™ process, a patented variation of silicon-on-insulator (SOI) technology on a sapphire substrate, offering the performance of GaAs with the economy and integration of conventional CMOS. Figure 1. Functional Diagram RFC SPDT High Power UltraCMOS™ RF Switch 30 - 2000 MHz Features • No blocking capacitors required • 50 Watt P1dB compression point • 10 Watts
PE42510A
物料型号: - 型号为PE42510A。

器件简介: - PE42510A是一款单刀双掷(SPDT)开关,适用于手机等无线应用。该器件采用Peregrine的UltraCMOS™工艺,并具有HaRP™技术增强,以提供高线性度和出色的谐波性能。

引脚分配: - 引脚1至引脚10、引脚14至引脚24以及引脚28至引脚32均为GND(地)。 - 引脚11和引脚16为N/C(不连接)。 - 引脚12为VDo(3.3V电源连接)。 - 引脚13为CTRL(控制)。 - 引脚2为RF1(射频1端口)。 - 引脚23为RF2(射频2端口)。 - 引脚28为RFC(公共射频端口)。

参数特性: - 工作频率范围:30 MHz至2000 MHz。 - 无需阻塞电容器。 - P1dB压缩点为50瓦。 - 在<8:1 VSWR条件下,正常操作时功率为10瓦。 - 在800 MHz时隔离度为29 dB。 - 插入损耗在800 MHz时小于0.3 dB。 - 二次和三次谐波在42.5 dBm时小于-84 dBc。

功能详解: - PE42510A基于Peregrine的UltraCMOS™工艺制造,这是一种专利的硅基绝缘体(SOI)技术变体,采用蓝宝石基底,提供与GaAs相似的性能,同时具有传统CMOS的经济性和集成度。 - 静电放电(ESD)坚固至2.0 kV HBM。 - 采用32引脚5x5 mm QFN封装。

应用信息: - 该器件适用于需要高线性度和出色谐波性能的无线通信应用,例如手机等。

封装信息: - 封装类型为32引脚的5x5 mm QFN封装。 - 潮湿敏感度等级为MSL3。
PE42510A 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“PE42510A”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

免费人工找货