1. 物料型号:
- 型号:FNDDR1133
2. 器件简介:
- 该器件是一个3.3V CMOS低抖动133.330 MHz DDR晶振,具有超低抖动和低工作电流,适用于串行连接SCSI RAID控制器/主机总线适配器中的DDR缓存内存应用。
3. 引脚分配:
- 引脚1:OE功能(输出使能)
- 引脚2:地(GND)
- 引脚3:时钟输出(Clock Output)
- 引脚4:电源电压(VDD)
4. 参数特性:
- 输出频率:133.330 MHz
- 供电电压(VDD):2.97V至3.63V
- 输出使能时供电电流:最大20 mA
- 输出禁用时供电电流:10 µA
- 频率稳定性:±50 ppm
- 工作温度范围:-20°C至+70°C
- 输出逻辑0(VOL):10% VDD
- 输出逻辑1(VOH):90% VDD
- 输出负载:15 pF
- 占空比:45%至55%(在50% VDD下测量)
- 上升和下降时间:2 ns(在20%至80%波形下测量)
- 抖动,峰峰值:30 ps(在100,000个随机周期下测量)
5. 功能详解:
- 该晶振具有非常低的峰峰抖动(最大30ps),低输出电流(最大20mA),并且有低功耗待机模式。它符合RoHS标准。
6. 应用信息:
- 适用于串行连接SCSI 3G/6G RAID控制器和主机总线适配器。
7. 封装信息:
- 封装类型为7.0 x 5.0mm的陶瓷表面贴装(SMD)。