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VTB6061

VTB6061

  • 厂商:

    PERKINELMER

  • 封装:

  • 描述:

    VTB6061 - VTB Process Photodiodes - PerkinElmer Optoelectronics

  • 详情介绍
  • 数据手册
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VTB6061 数据手册
VTB Process Photodiodes VTB6061 PACKAGE DIMENSIONS inch (mm) PRODUCT DESCRIPTION Large area planar silicon photodiode in a “flat” window, dual lead TO-8 package. Cathode is common to the case. These diodes have very high shunt resistance and have good blue response. CASE 15 TO-8 HERMETIC CHIP ACTIVE AREA: .058 in2 (37.7 mm2) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Storage Temperature: Operating Temperature: -40°C to 110°C -40°C to 110°C ELECTRO-OPTICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (See also VTB curves, pages 21-22) VTB6061 SYMBOL ISC TC ISC VOC TC VOC ID RSH TC RSH CJ SR λrange λp VBR θ1/2 NEP D* CHARACTERISTIC Short Circuit Current ISC Temperature Coefficient Open Circuit Voltage VOC Temperature Coefficient Dark Current Shunt Resistance RSH Temperature Coefficient Junction Capacitance Sensitivity Spectral Application Range Spectral Response - Peak Breakdown Voltage Angular Resp. - 50% Resp. Pt. Noise Equivalent Power Specific Detectivity 2 TEST CONDITIONS Min. H = 100 fc, 2850 K 2850 K H = 100 fc, 2850 K 2850 K H = 0, VR = 2.0 V H = 0, V = 10 mV H = 0, V = 10 mV H = 0, V = 0 365 nm 320 920 40 ±55 5.7 x 10-14 (Typ.) 1.1 x 10 13 (Typ.) .10 -8.0 8.0 0.1 1100 260 Typ. 350 .12 490 -2.0 2.0 .23 Max. µA %/°C mV mV/°C pA GΩ %/°C nF A/W nm nm V Degrees W ⁄ Hz cm Hz / W UNITS PerkinElmer Optoelectronics, 10900 Page Ave., St. Louis, MO 63132 USA Phone: 314-423-4900 Fax: 314-423-3956 Web: www.perkinelmer.com/opto 34
VTB6061
1. 物料型号:VTB6061,是一款平面硅光电二极管,在“扁平”窗口的双引脚TO-8封装中。

2. 器件简介:大面积平面硅光电二极管,具有非常高的并联电阻和良好的蓝光响应。

3. 引脚分配:阴极与外壳共通。

4. 参数特性: - 短路电流(Isc)在100 fc和2850 K的条件下,最小值为260 μA,典型值为350 μA。 - Isc的温度系数(TC Isc)为+0.12%/°C至+0.23%/°C。 - 开路电压(Voc)在100 fc和2850 K的条件下,典型值为490 mV。 - Voc的温度系数(TC Voc)为-2.0 mV/°C。 - 暗电流(I)在0光照和2.0V反向电压下,最大值为2.0 pA。 - 并联电阻(RSH)在0光照和10 mV下,最小值为0.10 GΩ。 - RSH的温度系数(TC RSH)为-8.0%/°C。 - 结电容(CJ)在0光照和0电压下,典型值为8.0 nF。 - 灵敏度(SR)在365 nm下,典型值为0.1 A/W。 - 光谱应用范围(Arange)为320至1100 nm。 - 光谱响应峰值(λp)为920 nm。 - 击穿电压(VBR)在2 V至40 V之间。 - 角度响应-50%响应点(θ1/2)为±55°。 - 噪声等效功率(NEP)典型值为5.7x10^-14 W/Hz。 - 比探测率(D)典型值为1.1x10^13 cm Hz/W。

5. 功能详解:文档提供了详细的电光特性表,描述了在特定条件下的光电二极管参数。

6. 应用信息:适用于需要大面积光电探测的应用。

7. 封装信息:TO-8双引线陶瓷外壳封装,外壳尺寸为CASE 15,活动区域为$0.058 in^2 (37.7 mm^2)$。
VTB6061 价格&库存

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