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VTB8341

VTB8341

  • 厂商:

    PERKINELMER

  • 封装:

  • 描述:

    VTB8341 - VTB Process Photodiodes - PerkinElmer Optoelectronics

  • 详情介绍
  • 数据手册
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VTB8341 数据手册
VTB Process Photodiodes VTB8341 PACKAGE DIMENSIONS inch (mm) PRODUCT DESCRIPTION Planar silicon photodiode mounted on a two lead ceramic substrate and coated with a thick layer of clear epoxy. These diodes have very high shunt resistance and have good blue response. CASE 11 CERAMIC CHIP ACTIVE AREA: .008 in2 (5.16 mm2) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Storage Temperature: Operating Temperature: -20°C to 75°C -20°C to 75°C ELECTRO-OPTICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (See also VTB curves, pages 21-22) VTB8341 SYMBOL ISC TC ISC VOC TC VOC ID RSH TC RSH CJ SR λrange λp VBR θ1/2 NEP D* CHARACTERISTIC Short Circuit Current ISC Temperature Coefficient Open Circuit Voltage VOC Temperature Coefficient Dark Current Shunt Resistance RSH Temperature Coefficient Junction Capacitance Sensitivity Spectral Application Range Spectral Response - Peak Breakdown Voltage Angular Resp. - 50% Resp. Pt. Noise Equivalent Power Specific Detectivity 2 TEST CONDITIONS Min. H = 100 fc, 2850 K 2850 K H = 100 fc, 2850 K 2850 K H = 0, VR = 2.0 V H = 0, V = 10 mV H = 0, V = 10 mV H = 0, V = 0 365 nm 320 920 40 ±60 2.4 x 10 -14 (Typ.) 9.7 x 10 12 (Typ.) 1.4 -8.0 1.0 .10 1100 35 Typ. 60 .12 490 -2.0 100 .23 Max. µA %/°C mV mV/°C pA GΩ %/°C nF A/W nm nm V Degrees W ⁄ Hz cm Hz / W UNITS PerkinElmer Optoelectronics, 10900 Page Ave., St. Louis, MO 63132 USA Phone: 314-423-4900 Fax: 314-423-3956 Web: www.perkinelmer.com/opto 40
VTB8341
1. 物料型号: - 型号为VTB8341。

2. 器件简介: - VTB8341是一款平面硅光敏二极管,安装在双引脚陶瓷基板上,并涂覆有一层厚厚的透明环氧树脂。这些二极管具有非常高的并联电阻,并且对蓝光有很好的响应。

3. 引脚分配: - 该器件为双引脚陶瓷基板安装,具体引脚功能未在文档中详细说明,但通常一个引脚为阳极,另一个为阴极。

4. 参数特性: - 绝对最大额定值:存储温度范围为-20°C至75°C,工作温度范围为-20°C至75°C。 - 电光特性(25°C条件下): - 短路电流(Isc):最小35μA,典型值60μA。 - Isc温度系数(TC Isc):0.12%/°C至0.23%/°C。 - 开路电压(Voc):490mV。 - Voc温度系数(TCVoc):-2.0mV/°C。 - 暗电流:100pA。 - 并联电阻(RSH):1.4GΩ。 - RSH温度系数(TC RSH):-8.0%/°C。 - 结电容(CJ):1.0nF。 - 灵敏度(SR):在365nm波长下为0.10A/W。 - 光谱应用范围(Arange):320nm至1100nm。 - 光谱响应峰值(λp):920nm。 - 击穿电压(VBR):2V至40V。 - 角度响应(01/2):+60度。 - 噪声等效功率(NEP):典型值为2.4x10^-12W/Hz。 - 比探测率(D):典型值为9.7x10^12cm·Hz/W。

5. 功能详解: - 该光敏二极管适用于检测光信号,具有高灵敏度和宽光谱响应范围,特别适用于需要检测蓝光的应用场合。

6. 应用信息: - 适用于光信号检测,特别是在需要高灵敏度和宽光谱响应的应用中。

7. 封装信息: - 封装为CASE 11陶瓷芯片,活动区域为0.008平方英寸(约5.16平方毫米)。
VTB8341 价格&库存

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