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VTS-81

VTS-81

  • 厂商:

    PERKINELMER

  • 封装:

  • 描述:

    VTS-81 - VTS Process Photodiodes - PerkinElmer Optoelectronics

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
VTS-81 数据手册
VTS Process Photodiodes PRODUCT DESCRIPTION This series of planar, P on N, large area silicon photodiodes is characterized for use in the photovoltaic (unbiased) mode. Their excellent speed and broadband sensitivity makes them ideal for detecting light from a variety of sources such as LEDs, IREDs, flashtubes, incandescent lamps, lasers, etc. Improved shunt resistance minimizes amplifier offset and drift in high gain systems. The solderable contact system on these photodiodes provides a cost effective design solution for many applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Storage Temperature: -40°C to 150°C -40°C to 105°C Operating Temperature: -40°C to 125°C -40°C to 105°C Reverse Voltage: Series 20, 31 Series 30 Series 20, 31 Series 30 6.0 Volts DIMENSIONS L W ACTIVE AREA VTS__81, 83, 84 PACKAGE DIMENSIONS inch (mm) CASE 44C ANODE (ACTIVE) SURFACE SHOWN CATHODE IS BACKSIDE VTS__81 .800 (20.32) .400 (10.16) .2902 (1872) VTS__83 .800 (20.32) .200 (5.08) .1322 (85 2) VTS__84 .400 (10.16) .200 (5.08) .0652 (422) ELECTRO-OPTICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (See also VTS curves, page 67) SYMBOL ISC TC ISC ID TC ID RSH CJ SR Re TC VOC tR/tF VOC TC VOC CHARACTERISTIC Short Circuit Current ISC Temperature Coefficient Dark Current ID Temp. Coefficient Shunt Resistance Junction Capacitance Sensitivity Responsivity Sensitivity @ Peak Response Time @ 1 kΩ Load Open Circuit Voltage VOC Temperature Coefficient TEST CONDITIONS Min. VTS__81 Typ. Max. Min. VTS__83 Typ. Max. Min. VTS__84 Typ. Max. UNITS mA %/°C 100 nA %/°C MΩ nF A/W A/(W/cm2) A/W µsec Volts mV/°C H = 1000 lux, 2850 K H = 1000 Lux, 2850 K H = 0, VR = 100 mV H = 0, VR = 100 mV H = 0, VR = 10 mV H = 0, V = 0 V, 1 MHz @ 400 nm 400 nm, 0.18 A/W 925 nm VR = 1 V, 830 nm H = 1000 Lux, 2850 K H = 1000 Lux, 2850 K 1.10 1.50 0.20 100 +11 0.6 3.5 500 0.5 0.64 .20 50 +11 1.2 1.75 200 0.25 0.33 .20 40 +11 1.5 1.0 .18 0.20 0.34 0.60 6.4 0.18 0.20 0.15 0.60 3.4 0.18 0.20 0.07 0.60 1.8 0.25 0.45 -2.6 0.25 0.45 -2.6 0.25 0.45 -2.6 PerkinElmer Optoelectronics, 10900 Page Ave., St. Louis, MO 63132 USA Phone: 314-423-4900 Fax: 314-423-3956 Web: www.perkinelmer.com/opto 69
VTS-81
1. 物料型号: - VTS81、VTS83、VTS84是这一系列平面、P on N、大面积硅光电二极管的型号。

2. 器件简介: - 这些光电二极管适用于光伏(无偏置)模式,具有优异的速度和宽带灵敏度,适合检测来自LED、IRED、闪光灯、白炽灯、激光等多种光源的光线。改进的并联电阻最小化了高增益系统中的放大器偏移和漂移。这些光电二极管上的可焊接触系统为许多应用提供了经济有效的设计解决方案。

3. 引脚分配: - 阳极(ANODE)为正面,阴极(CATHODE)为背面。

4. 参数特性: - 存储温度:-40°C至150°C(Series 20, 31)和-40°C至105°C(Series 30)。 - 工作温度:-40°C至125°C(Series 20,31)和-40°C至105°C(Series 30)。 - 反向电压:6.0伏特。 - 电光特性:包括短路电流、暗电流、并联电阻、结电容、灵敏度、响应度、开路电压等参数。

5. 功能详解: - 这些光电二极管能够在1000勒克斯、2850K的条件下工作,具有特定的短路电流、暗电流、并联电阻和结电容等特性。它们对400nm波长的光具有特定的灵敏度和响应度,并且在925nm波长下具有特定的峰值灵敏度。

6. 应用信息: - 适用于需要检测各种光源光线的应用,如LED、IRED、闪光灯、白炽灯、激光等。

7. 封装信息: - 提供了VTS81、VTS83、VTS84的具体封装尺寸,包括长度(L)、宽度(W)和活动区域尺寸。
VTS-81 价格&库存

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