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B5818WS

B5818WS

  • 厂商:

    PFS

  • 封装:

  • 描述:

    B5818WS - SCHOTTKY BARRIER DIODE - Shenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd.

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  • 数据手册
  • 价格&库存
B5818WS 数据手册
B5817WS-B5819WS SCHOTTKY BARRIER DIODE SOD-323 1.35(0.053) 1.15(0.045) 1.26(.050) 1.24(.048) FEATURES For use in low voltage, high frequency inverters Free wheeling, and polanty protection applications 1.80(0.071) 1.60(0.063) 2.70(0.106) 2.30(0.091) 1.80(0.071) 1.60(0.063) 2.70(0.106) 2.30(0.091) MECHANICAL DATA 0.4(0.016) .25(0.010) .177(.007) .089(.003) 1.00(.040) 0.80(.031) 0.1(0.004) MIN .305(0.012) .295(0.010) .72(0.028) .69(0.027) .08(.003) MIN Case: Molded plastic body Terminals: Plated leads solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Polarity: Polarity symbols marked on case Marking: B5817W:SJ, B5818W:SK, B5819W:SL Dimensions in millimeters and (inches) Maximum ratings and electrical characteristics, Single diode @TA=25C PARAMETER Peak repetitive peak reverse voltage Working peak DC Blocking voltage RMS Reverse voltage Average rectified output current Peak forward surge current @=8.3ms Repetitive peak forward current Power dissipation Thermal resistance junction to ambient Storage temperature Non-Repetitive peak reverse voltage Electrical ratings @TA=25C PARAMETER Reverse breakdown voltage SYMBOLS SYMBOLS B5817WS 20 14 B5818WS 30 21 1 25 625 200 625 -65 to +150 30 B5819WS 40 28 UNITS V V A A mA mW K/W VRRM VRWM VR VR(RMS) IO IFSM IFRM Pd RΘJA TSTG VRM C 40 V 20 Min. 20 30 40 Max. Unit V V V Test conditions IR=1mA VR=20V B5817WS B5818WS B5819WS B5817WS B5818WS B5819WS B5817WS IF=1A IF=3A B5818WS B5819WS VR=4V,f=1.0MHz V(BR) Reverse voltage leakage current IR 1 0.45 0.75 mA VR=30V VR=40V Forward voltage VF V V V 0.55 0.875 0.6 0.9 Diode capacitance CD 120 pF www.ps-pfs.com RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES B5817WS-B5819WS FIG. 1- FORWARD CURRENT DERATING CURVE FIG. 2-MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK FORWARD SURGE CURRENT AVERAGE FORWARD CURRENT(A) 1.25 PEAK FORWARD SURGE CURRENT(A) 30 1.0 25 20 0.75 Resistive or inductive load0.375''(9.5mm) lead length 0.5 15 10 0.25 5 0 0 20 40 60 80 100 120 140 0 0 10 100 CASE TEMPERATURE(C) NUMBER OF CYCLES AT 60Hz INSTANTANEOUS REVERSE CURRENT (mS) INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT(A) FIG. 3- TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD CHARACTERISTICS 50 FIG. 4- TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS 100 10 TJ=25 C 10 TJ=125 C TJ=125 C 1.0 TJ=75 C 0.1 1.0 0.1 Pulse width=300us 1% duty cycle 0.01 TJ=25 C 0.01 0 0.4 0.8 1.2 1.6 0.001 0 20 40 60 80 100 INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE(V) PERCENT OF RATED PEAK PEVERSE VOLTAGE (%) TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE (C/W) FIG. 5- TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE 400 FIG. 6-TYPICAL TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE 100 JUNCTION CAPACITANCE (pF) TJ=25 C f=1.0MHz Vsp=50mVp-p 10 100 1 10 0 0.1 1 10 100 0 1 10 100 REVERSE VOLTAGE (V) t--PULSE DURATION (sec.) www.ps-pfs.com
B5818WS
物料型号: - B5817WS - B5818WS - B5819WS

器件简介: 这些型号是肖特基势垒二极管,用于低电压、高频逆变器、自由轮和极性保护应用。

引脚分配: - 引脚为镀锡的可焊接引线,符合MIL-STD-750标准,方法2026。

参数特性: - 最大额定值和电气特性(在环境温度25°C时): - B5817WS:峰值反向击穿电压(VRRM)20V,工作峰值电压(VRWM)30V,RMS反向电压(VR(RMS))14V,平均整流输出电流(Io)未给出,峰值正向浪涌电流(IFSM)25A,重复峰值正向电流(IFRM)625mA,功率耗散(Pd)200mW,热阻(ROJA)625K/W,存储温度(TSTG)-65至+150°C,非重复峰值反向电压(VRM)20V。 - B5818WS:工作峰值电压(VRWM)40V,RMS反向电压(VR(RMS))21V,非重复峰值反向电压(VRM)30V。 - B5819WS:RMS反向电压(VR(RMS))28V,非重复峰值反向电压(VRM)40V。 - 电气额定值(在环境温度25°C时): - 反向击穿电压(V(BR)):20V、30V、40V。 - 反向电压漏电流(IR):在20V、30V、40V下分别为1mA。 - 正向电压(VF):B5817WS为0.45V(IF=1A)和0.75V(IF=3A),B5818WS为0.55V(IF=1A)和0.875V(IF=3A),B5819WS为0.6V(IF=1A)和0.9V(IF=3A)。 - 二极管电容(CD):在4V反向电压和1.0MHz频率下为120pF。

功能详解: 这些二极管具有低正向电压降、快速响应时间和高浪涌电流承受能力,适用于高频开关和整流应用。

应用信息: 适用于低电压、高频逆变器、自由轮和极性保护应用。

封装信息: - SOD-323封装,塑封塑料体,引脚上有极性标记。
B5818WS 价格&库存

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