PBSS4350

PBSS4350

  • 厂商:

    PHILIPS(飞利浦)

  • 封装:

  • 描述:

    PBSS4350 - 50 V low VCEsat NPN transistor - NXP Semiconductors

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PBSS4350 数据手册
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET alfpage M3D186 PBSS4350S 50 V low VCEsat NPN transistor Product specification 2001 Nov 19 Philips Semiconductors Product specification 50 V low VCEsat NPN transistor FEATURES • High power dissipation (830 mW) • Ultra low collector-emitter saturation voltage • 3 A continuous current • High current switching • Improved device reliability due to reduced heat generation APPLICATIONS • Medium power switching and muting • Linear regulators • DC/DC convertor • Supply line switching circuits • Battery management applications • Strobe flash units • Heavy duty battery powered equipment (motor and lamp drivers). DESCRIPTION NPN low VCEsat transistor in a SOT54 plastic package. PNP complement: PBSS5350S. MARKING TYPE NUMBER PBSS4350S MARKING CODE S4350S Fig.1 1 handbook, halfpage PBSS4350S QUICK REFERENCE DATA SYMBOL VCEO IC ICM RCEsat PINNING PIN 1 2 3 base collector emitter DESCRIPTION PARAMETER collector-emitter voltage collector current (DC) peak collector current equivalent on-resistance MAX. 50 3 5
PBSS4350
1. 物料型号: - 型号为PBSS4350S,是飞利浦半导体公司生产的50V低VCEsat NPN晶体管。

2. 器件简介: - PBSS4350S是一款NPN低VCEsat晶体管,采用SOT54塑料封装。它的PNP互补型号为PBSS5350S。

3. 引脚分配: - 1号引脚:基极(base) - 2号引脚:集电极(collector) - 3号引脚:发射极(emitter)

4. 参数特性: - 最大集电极-发射极电压(VCEO):50V - 直流集电极电流(IC):3A - 峰值集电极电流(ICM):5A - 饱和等效电阻(RCEsat):小于145毫欧姆

5. 功能详解: - 该晶体管具有高功率耗散(830毫瓦)、超低集电极-发射极饱和电压、3A连续电流、高电流开关、提高设备可靠性(由于减少热量产生)等特点。适用于中等功率开关和静音、线性调节器、DC/DC转换器、供电线路开关电路、电池管理应用、频闪单元、重型电池供电设备(电机和灯具驱动器)。

6. 应用信息: - 适用于中等功率开关和静音、线性调节器、DC/DC转换器、供电线路开关电路、电池管理应用、频闪单元、重型电池供电设备等。

7. 封装信息: - 采用塑料单端引线(通孔)封装,即SOT54封装,有3个引脚。
PBSS4350 价格&库存

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