1. 物料型号:
- LP3987
2. 器件简介:
- LP3987是一款300mA超低噪声LDO(低压差线性稳压器),专为无线应用和对性能及空间要求较高的场合设计。该器件针对电池供电系统进行了优化,以提供超低噪声和低静态电流。还提供了一个噪声旁路引脚,用于进一步降低输出噪声。在 dropout(压差)时,调节器地电流仅略有增加,从而延长电池寿命。LP3987还适用于低ESR陶瓷电容器,减少了电源应用所需的板空间,这在手持无线设备中至关重要。该器件在关闭模式下消耗小于0.01uA的电流,并且具有小于50ps的快速启动时间。其他特性包括超低dropout电压、高输出精度、电流限制保护和高纹波抑制比。LP3987提供5引脚SOT-23封装。
3. 引脚分配:
- EN:芯片使能(高电平有效)。该引脚为高阻态,当控制信号浮动时应连接一个100kΩ下拉电阻至地。
- BP:参考噪声旁路。
- GND:地。
- VOUT:输出电压。
- VIN:电源输入电压。
4. 参数特性:
- 输出电压精度:在1mA负载下,输出电压精度为-2%到+2%。
- 电流限制:在1Ω负载下,电流限制为360mA到400mA。
- 静态电流:在VEN为1.2V且无负载时,静态电流为90μA到130μA。
- Dropout电压:在200mA负载下,Dropout电压为170mV到200mV(对于2.8V以上输出电压)。
- 线路调整率:在输入电压从(VOUT+1V)变化至5.5V且1mA负载下,线路调整率为0.3%。
- 负载调整率:在1mA至300mA负载下,负载调整率为0.6%。
- 待机电流:在VEN连接至地且关闭时,待机电流为0.01μA到1μA。
- EN输入偏置电流:在VEN连接至地或VIN时,EN输入偏置电流为0到100nA。
- EN阈值:逻辑低电压为0.4V,逻辑高电压为1.2V。
- 输出噪声电压:在10Hz至100kHz且200mA负载下,输出噪声电压为100μVRMS。
- 电源抑制比:在100Hz时为-80dB,在10kHz时为-55dB。
- 热关断温度:165°C。
5. 功能详解:
- LP3987具有超低噪声,适用于RF应用,输入电压范围2.5V至6V,低dropout电压,高电源抑制比,小于0.01μA的待机电流,TTL逻辑控制的关闭输入,自定义电压可用,超快响应在线/负载瞬态,快速启动(典型50μs)以及电流限制和热关断保护。
6. 应用信息:
- 适用于PMP/PDA/MP3播放器、手机、RF模块和传感器模块等。
7. 封装信息:
- 提供SOT-23-5封装,具体尺寸如下:
- A:0.889mm至1.295mm(0.035至0.051英寸)
- B:1.397mm至1.803mm(0.055至0.071英寸)
- C:2.591mm至2.997mm(0.102至0.118英寸)
- D:2.692mm至3.099mm(0.106至0.122英寸)
- E:0.838mm至1.041mm(0.033至0.041英寸)
- H:0.080mm至0.254mm(0.003至0.010英寸)
- L:0.300mm至0.610mm(0.012至0.024英寸)